Research Paper
S. H. Cha, C. H. An, S. H. Kim, D. G. Kim, D. S. Kwon, S. T. Cho and C. S. Hwang, ECS Meet. Abstr., MA2018-01, 2560 (2018).
10.1149/MA2018-01/44/2560J. J. Chung, S. J. Kim and J. W. Shim, IEEE Trans. Electron Devices, 70, 4315 (2023).
10.1109/TED.2023.3287812W. J. Jeon, S. H. Rha, W. K. Lee, Y. W. Yoo, C. H. An, K. H. Jung, S. K. Kim and C. S. Hwang, ACS Appl. Mater. Interfaces, 6, 7910 (2014).
10.1021/am501247u24749990J. P. Niemela, G. Marin and M. Karppinen, Semicond. Sci. Technol., 32, 093005 (2017).
10.1088/1361-6641/aa78ceB. G. Kim, Y. S. Choi, D. H. Lee, Y. H. Byun, C. W. Jung and H. T. Jeon, ECS J. Solid State Sci. Technol., 10, 083006 (2021).
10.1149/2162-8777/ac1c9cW. Chiappim, G. E. Testoni, A. C. O. C. Doria, R. S. Pessoa, M. A. Fraga, N. K. A. M. Galvao, K. G. Grigorov, L. Vieira and H. S. Maciel, Nanotechnology, 27, 305701 (2016).
10.1088/0957-4484/27/30/30570127302656N. G. Kubala, P. C. Rowlette and C. A. Wolden, J. Phys. Chem. C, 113, 16307 (2009).
10.1021/jp907266cH. J. Jung, J. H. Han, E. A. Jung, B. K. Park, J. H. Hwang, S. U. Son, C. G. Kim, T. M. Chung and K. S. An, Chem. Mater., 26, 7083 (2014).
10.1021/cm5035485S. K. Kim, W. D. Kim, K. M. Kim, C. S. Hwang and J. H. Jeong, Appl. Phys. Lett., 85, 4112 (2004).
10.1063/1.1812832K. Frohlich, J. Aarik, M. Tapajna, A. Rosova, A. Aidla, E. Dobrocka and K. Huskova, J. Vac. Sci. Technol., B, 27, 266 (2009).
10.1116/1.3021030B. Hudec, K.Husekova, A. Rosova, J. Soltys, R. Rammula, A. Kasikov, T. Uustare, M. Micusik, M. Omastova, J. Aarik and K. Frohlich, J. Phys. D: Appl. Phys., 46, 385304 (2013).
10.1088/0022-3727/46/38/385304S. Gupta, M. Sinha, R. Dhawon, R. Jangir, A. Bose, P. Gupta, M. K. Swami and M. H. Modi, Thin Solid Films, 764, 139606 (2023).
10.1016/j.tsf.2022.139606J. Aarik, T. Arroval, L. Aarik, R. Rammula, A. Kasikov, H. Mandar, B. Hudec, K. Husekova and K. Frohlich, J. Cryst. Growth, 382, 61 (2013).
10.1016/j.jcrysgro.2013.08.006V. Miikkulainen, M. Leskela, M. Ritala and R. L. Puurunen, J. Appl. Phys., 113, 021301 (2013).
10.1063/1.4757907W. Chiappim, G. E. Testoni, J. S. B. de Lima, H. S. Medeiros, R. S. Pessoa, K. G. Grigorov, L. Vieira and H. S. Maciel, Braz. J. Phys., 46, 56 (2016).
10.1007/s13538-015-0383-2W. Chiappim, M. A. Fraga, H. S. Maciel and R. S. Pessoa, Front. Mech. Eng., 6, 551085 (2020).
10.3389/fmech.2020.551085F. J. Maier, M. Schneider, J. Schrattenholzer and U. Schmid, J. Phys.: Conf. Ser., 1837, 012009 (2021).
10.1088/1742-6596/1837/1/012009P. Soundarrajan, K. Sankarasubramanian, K. Sethuraman and K. Ramamurthi, CrystEngComm, 16, 8756 (2014).
10.1039/C4CE00820KJ. Li, H. Cui, Z. Song, N. Wei and J. Tian, Appl. Surf. Sci., 396, 1539 (2017).
10.1016/j.apsusc.2016.11.205K. Frohlich, M. Tapajna, A. Rosova, E. Dobrocka, K. Husekova, J. Aarik and A. Aidla, Electrochem. Solid State Lett., 11, G19 (2008).
10.1149/1.2898184W. G. Lee, S. I. Woo, J. C. Kim, S. H. Choi and K. H. Oh, Thin Solid Films, 237, 105 (1994).
10.1016/0040-6090(94)90245-3International Roadmap for Devices and Systems (IRDS) 2023 Edition: Beyond CMOS. Retrieved March 5, 2024 from https://irds.ieee.org/editions/2023
- Publisher :Materials Research Society of Korea
- Publisher(Ko) :한국재료학회
- Journal Title :Korean Journal of Materials Research
- Journal Title(Ko) :한국재료학회지
- Volume : 34
- No :6
- Pages :283-290
- Received Date : 2024-03-11
- Revised Date : 2024-05-29
- Accepted Date : 2024-05-29
- DOI :https://doi.org/10.3740/MRSK.2024.34.6.283