1. 서 론

염료감응형 태양전지(dye sensitized solar cell; DSSC) 는 작동전극부, 전해질, 상대전극부로 구성된 3세대 태양 전지로 주목받고 있다.¹⁾ 그러나 기존의 실리콘계 태양전지 가 약 20%의 에너지변환효율(energy conversion efficiency; ECE)을 나타내는 것에 비해 DSSC는 약 11 %의 ECE 을 나타내어 경제성을 확보하기 위해 ECE 향상과 원가 절감에 관한 연구가 활발하다.²⁾

특히 DSSC의 경제성 확보를 위해 상대전극부를 엔지 니어링하는 연구가 활발하게 진행되고 있다. 상대전극부 는 투명전도성산화물(transparent conductive oxide; TCO) 박막과 촉매재료로 구성되어 있다. 기존에는 ITO(indium tin oxide), FTO(fluorine-doped tin oxide)와 같은 TCO 기판과 요오드계 전해질로 부터의 I₃⁻를 효과적으로 I⁻로 환원시키는 환원촉매기능 및 0.1 × 10⁻⁶ Ω·cm의 낮은 비 저항 특성을 가진 Pt를 이용하였다. 그러나 Pt촉매는 귀 금속 재료이므로 전체 소자 구성 재료비의 40 %를 차 지할 정도로 비싸며,³⁾ 요오드계 전해질에 장시간 접촉될 경우 산화반응에 의해 PtI₄ 또는 H₂PtI₄ 등의 요오드화합 물이 생성되어 촉매활성도를 감소시키는 내구성 문제가 보고된 바 있다.⁴⁾

이러한 상대전극의 경제성 확보를 위해 TCO-free 유 리 기판 위에 Pt-free 상대전극을 채용하려는 연구가 활 발하다. 특히 Pt와 비슷한 d-오비탈 구조를 갖는 전이금 속을 이용한 새로운 대체 촉매층의 연구가 활발하게 진 행 중이다. X. Chen 등⁵⁾은 Co-Ni alloy를 촉매재료로 채용하여 기존 Pt 6.96 % 대비 25 % 증가한 8.39 %의 ECE를 보고한 바 있으며, J. Liu 등⁶⁾은 Fe-Co alloy를 채용하여 최대 5.06 %의 ECE를 보고한 바 있다. S. Hsu 등⁷⁾은 Co와 S의 화합물인 CoS를 촉매재료로 채용하여 기존 Pt의 8.00 %에 유사한 8.10 %의 ECE을 보고한 바 있으며, M. Wang 등⁸⁾은 CoS를 촉매층으로 채용하여 Pt 와 동일한 6.5 %의 ECE을 보고한 바 있다. 또한 I. Chiu 등⁹⁾은 CoSe₂를 촉매층으로 채용하여 기존 Pt의 8.25 % 대비 최대 8.92 %의 ECE을 확인하고, Pt 대체가능성을 보고한 바 있다. 최근 K. Kim 등¹⁰⁾은 반도체공정에서 접촉저항을 감소시키기 위해 사용하던 silicide 중의 하 나인 니켈실리사이드를 채용하여 기존 Pt의 5.49 % 대 비 3.86 %의 ECE를 확인하여 Pt를 대신할 촉매재료로서 의 가능성을 보고한 바 있다. 또한 Y. Noh 등¹¹⁾은 CoSi 를 촉매층으로 채용하여 기존 Pt의 73 %인 3.75 %의 ECE를 나타낸다고 보고한 바 있으나 아직까지 CoSi_x 중 다른 Co₂Si, CoSi₂ 등의 촉매 특성은 보고된 바가 없으 므로 이를 확인할 필요가 있다.

따라서, 본 연구에서는 Si wafer 위에 100 nm 두께의 Co를 E-gun evaporator를 이용하여 증착한 후 진공열처 리를 통해 코발트실리사이드를 제작하고, 제작한 코발트 실리사이드의 환원촉매물성을 확인하여 Pt를 대신할 촉 매재료로써의 가능성을 확인하였다.

2. 실험 방법

직경 150 mm의 p-type Si <100> wafer를 준비하여 wafer 표면의 유기 불순물과 자연 산화막 제거를 위해 120 °C-10분동안 SPM(sulfonic acid and hydrogen peroxide mixture)과 상온-30초 동안 10 % HF에 침지시켜 크리닝 하였다. 세척된 Si wafer 위에 100 nm 두께의 Co를 증 착하기 위해 E-gun evaporator(ZZZ550-2/D, Maestech) 를 이용하여 전자빔파워 10 kV, 기저압력 3 × 10⁻⁶ torr의 조건으로 박막을 증착하였다. 코발트가 증착된 Si wafer 를 dicing saw(DAD 3350, Disco)를 이용하여 가로 2 cm, 세로 1.5 cm로 절단하였다.

준비된 시편의 코발트실리사이드의 형성을 위해 진공 로(DE/KR-1706, Heraeus)를 이용하여 분당 5 °C씩 증가 시켜 각각 30 °C, 300 °C, 500 °C, 700 °C 온도 조건에서 30분간 유지시키고 공랭시켜 여러 가지의 실리사이드를 형성하였다. 실리사이드 공정을 거친 시편에 대해 30 % 의 H₂SO₄에 80 °C, 10분간 침지시켜 표면의 잔류 Co를 제거하여 Fig. 1과 같이 코발트실리사이드를 형성하였다.

Fig. 1.

Illustration of the cross sectional structure of the proposed cobalt silicides.

준비된 코발트실리사이드들의 면저항 분석을 위해 fourpoint probe(CMT-SR1000N, AIT)를 이용하여 5회 반복 하여 측정한 후 평균값을 확인하였다.

코발트실리사이드들의 상분석을 위해 X-선 회절 분석 (high resolution X-ray diffraction, HRXRD, X’pert-pro, PANalytical)을 이용하였다. 이때 X선 source는 니켈 필 터를 통과시켜 얻은 CuKα, 파장은 1.5405 Å, tube current 는 30 mA, 그리고 가속전압은 40 kV이었다. 나노급 박 막측정에 유리한 glancing angle 모드로 θ를 2°로 고정 시켜 측정하였으며, 20~80° 범위의 2θ에서 측정된 특성 피크를 JCPDS 카드로 비교하여 코발트실리사이드의 결 정상을 확인하였다.

제작된 코발트실리사이드들의 전해질과 반응 전, 후의 미세구조를 확인하기 위해, FE-SEM(field emission scanning electron microscope, S-4300, Hitachi)으로 15 kV 의 가속전압을 사용하여 반응표면을 관찰하였다.

코발트실리사이드들의 정량적인 촉매활성도 분석을 위해 DY2113 potentiostat(Digi-Ivy, Austin, TX)의 CV(cyclic voltammetry) 측정을 이용하였다. 이때 sweep condition 을 50 mV/s 로 하고 기준전극(Ag/AgCl)과 전해질(3-methoxypropionitrile; MPN)solution에 0.1 M LiClO₄, 0.5 mM I₂ 그리고 5 mM LiI을 첨가하여 catalytic activity에 대 한 주기적인 voltammograms를 확인하고, 특히 환원촉매 활성도를 나타내는 좌하단 영역의 크기를 100 nm의 Pt 박막과 비교하여 환원촉매활성도를 판단하였다. 이때 비 교를 위한 Pt 박막은 실리콘 기판과 동일한 크기의 유 리기판에 RF 스퍼터(MHS-1500, 무한진공)를 이용하여 제작하였다.

3. 결과 및 고찰

Fig. 2에는 Si wafer/100 nm Co를 30 °C, 300 °C, 500 °C, 700 °C에서 진공실리사이드화 열처리와 크리닝을 진 행한 시편들의 면저항값을 나타내었다. 30 °C, 300 °C, 500 °C, 700 °C의 면저항 값은 각각 320.5 Ω/□, 83.29 Ω/□, 12.10 Ω/□, 0.54 Ω/□이었다. 30 °C의 경우, 실리콘 기판 자체의 면저항이 2.992 KΩ/□로 나타내는 것에 비 해 약 1/10 정도의 면저항 값을 나타내는 것을 확인할 수 있는데, 이는 evaporator를 이용하여 코발트증착 시 실리콘과 코발트계면에서 코발트실리사이드가 형성되어 나 타난 결과이다.¹²⁾ 그러나 이러한 코발트실리사이드는 상 온에서 증착되었으므로 두께가 매우 얇을 것으로 예상하 였다. 한편, 300 °C, 500 °C, 700 °C의 경우, J. E. Hong 등¹³⁾이 보고한 바와 같이 각각 Co₂Si, CoSi, CoSi₂의 비 저항과 일치하는 것을 확인하였다. 따라서, 잘 알려진 코 발트실리사이드 형성 공정을 이용하여 300 °C, 500 °C, 700 °C 온도별로 각각 Co₂Si, CoSi, CoSi₂로 추정되는 코발트실리사이드들을 성공적으로 제작할 수 있었다.

Fig. 2.

Sheet resistance of cobalt silicides with annealing temperature.

Fig. 3은 Si wafer/100 nm Co를 실리사이드화 온도를 달리하며 형성시킨 코발트실리사이드들의 XRD 분석 결 과이다. 30 °C의 경우, 52.07°에서 (211) 면방향에 상응 하는 Co₂Si의 특성피크를 확인하였는데, 이는 실리콘기 판 위에 코발트 층을 전자빔으로 증착하는 과정에서 계 면에 형성된 코발트실리사이드로 판단하였다. 300 °C의 경 우도 상온과 마찬가지로 52.07°에서 (211) 면방향에 상 응하는 Co₂Si의 특성피크를 보였다. 따라서, 앞서의 면 저항 결과는 같은 Co₂Si가 생겼으나, 30 °C의 증착 조 건에서는 매우 얇은 두께의 Co₂Si층이 생성되었음을 의 미하였다. 500 °C의 경우, 28.40°, 34.92°, 40.54°, 45.57°, 50.21°에서 각각 (110), (111), (200), (210), (211) 면방향 을 가진 CoSi의 특성피크를 보였고, 이는 H. Shin 등¹⁴⁾ 이 보고한 바와 일치하는 결과였다. 또한 700 °C의 경 우에서는 28.87°, 48.13°, 57.13°, 70.41°에서 각각 (111), (220), (311), (400) 면방향을 가진 CoSi₂의 특성피크를 확인하였는데, 이는 H. Shin 등¹⁴⁾이 보고한 CoSi₂특성피 크와 일치하는 결과였다. 따라서, 앞서 보인 면저항 결 과와 마찬가지로, XRD 분석결과로 실리사이드 온도를 변 화시켜 각각 Co₂Si, CoSi, CoSi₂를 형성하였음을 직접적 으로 확인하였다.

Fig. 3.

XRD peaks of Si wafer/100 nm Co with 30 °C, 300 °C, 500 °C, and 700 °C annealing.

Fig. 4는 Si wafer/100 nm Co 시편을 각각 30 °C, 300 °C, 500 °C, 700 °C에서 실리사이드화하고, 즉시 황산크 리닝 처리를 하여 미반응 코발트를 제거한 후, 그들의 표면을 20K로 확대한 표면 이미지들이다. 우상단에는 각 시편의 전해질과의 안정성을 확인하기 위해 10분 동안 요오드 전해질과 반응시킨 후의 표면 이미지를 같이 나 타내었다. Fig. 4(a)는 Si wafer/100 nm Co의 황산크리 닝 후의 이미지로 매우 균일한 표면상을 보이지만, 우 상단에 삽입된 이미지에서는 요오드 전해질과 부분적으 로 반응한 것을 확인하였다. 이는 Co₂Si가 매우 균일하 고 치밀하게 형성된 것이 아니라 국부적으로 노출된 하 부의 실리콘이 요오드 전해질과 반응하여 SiI₄를 형성하 기 때문에 나타난 결과였다.¹⁵⁾ 또한 요오드전해질과 반 응하지 않은 부분의 경우 내식성이 우수한 Co₂Si가 형 성되었기 때문이라고 판단되고, 이는 C. Pirri 등¹²⁾이 실 리콘 웨이퍼 위에 코발트를 증착하면, 국부적으로 계면 부에 Co₂Si가 형성된다고 보고한 바와 일치하였다. Fig. 4(b)는 300 °C 열처리 시편의 표면을 확대 분석한 이미 지이다. Fig. 4(a)와 마찬가지로 실리콘과 요오드 전해질 과 반응한 것을 확인하였으며, 반응하지 않은 부분에 Co₂Si가 국부적으로 형성되었다고 판단되었다. Fig. 4(c) 는 500 °C 열처리 시편의 표면을 확대 분석한 이미지로, 매우 균일하게 CoSi가 형성된 것을 확인하였다. 우상단 이미지에서는 앞선 Si wafer/100 nm Co와는 다르게 요 오드 전해질과 반응하지 않고 균일한 코발트실리사이드 를 가진 이미지를 보임을 확인하였다. Fig. 4(d)는 700 °C 열처리 시편의 미세구조 이미지로 균일하게 CoSi₂가 형 성된 것을 확인하였다. 우상단 이미지에서는 Fig. 4(c)와 마찬가지로 전해질과 반응하지 않는 것을 확인하였으며, 이는 CoSi와 마찬가지로 반도체 소자에서 주로 사용되 는 CoSi₂의 내식성이 우수하여 나타난 결과로 판단하였 다. 따라서 Co₂Si, CoSi, 그리고 CoSi₂가 균일하게 코팅 되어 있는 것을 확인하였으며, 전해질과의 안정성을 가 지고 있는 것을 확인하여 DSSC의 촉매재료로써의 채용 가능성을 확인하였다.

Fig. 4.

FE-SEM images of cobalt silicides after silicidation at the temperatures of (a) 30 °C, (b) 300 °C, (c) 500 °C, and (d) 700 °C. Inset images are after dipping into iodine-based electrolytes.

Fig. 5는 Si wafer/100 nm Co를 실리사이드 온도를 달 리하여 처리한 시편들의 CV 분석 결과에서 환원 촉매 활성도를 나타내는 좌하단부를 확대하여 나타내었다. 30 °C의 시편의 경우, Pt 대비 0 %의 환원촉매활성도를 확 인하여 촉매효과를 나타내지 않은 것을 확인하였다. 300 °C의 경우도, Pt 대비 0 %의 환원촉매활성도를 확인하였 으며, 이는 앞선 면저항과 XRD 결과에서 확인한 바와 같이 Co₂Si가 부분적으로 형성되어 촉매활성도가 나타나 지 않는 것으로 판단하였다. 500 °C의 경우, Pt 대비 67 %로 가장 높은 환원촉매활성도를 나타내었는데, 이는 Y. Noh 등¹¹⁾이 CoSi의 환원촉매활성도가 우수하다고 보고 한 바와 일치하는 결과였다. 700 °C의 경우, Pt 대비 각 각 54 %의 환원촉매활성도를 나타내었는데, 이는 CoSi 보다는 낮지만 비교적 우수한 환원촉매활성도를 나타내 는 것을 확인하였다. 이러한 CoSi와 CoSi₂가 우수한 환 원촉매활성도를 나타내는 이유는, 촉매반응의 경우 결합 에 참여하지 않는 d-오비탈이 존재해야 촉매활성도가 우 수하게 나타나는데,¹⁶⁾ Co는 Pt에 비해 27 %¹¹⁾정도의 환 원촉매활성도를 가진데 비해서, 실리콘과 본딩에 의해 d- 오비탈이 변형되어 단체의 코발트보다 우수한 환원촉매 활성도를 보이고 있다. 이는 Kim 등¹⁰⁾이 보고한 Ni과 NiSi₂의 결과와도 일치한다. 또한 이들의 실리사이드는 앞 서 미세구조에서 보았듯이 코발트와 같은 순수금속보다 요오드계 전해질에 대해 우수한 안정성으로 신뢰도 면 에서도 우수한 것으로 예상되었다. 따라서, 코발트실리사 이드의 경우 CoSi에서 가장 우수한 환원촉매활성도를 나 타내는 것을 확인하였으며, 이를 DSSC의 촉매재료로서 채용시 작동할 가능성을 확인하였다.

Fig. 5.

CV curves of cobalt silicides with electrolyte of MPN-solutions containing 0.1 M LiClO₄, 5 mM LiI, and 0.5 mM I₂.

4. 결 론

여러 가지 코발트실리사이드들의 환원촉매특성을 확인 하기 위해 Si wafer/100 nm Co를 각각 30 °C, 300 °C, 500 °C, 700 °C에서 진공열처리를 진행하고 황산을 이용 하여 표면의 잔류 코발트를 제거하여 코발트실리사이드를 제작하였다. 면저항과 XRD 분석 결과, 300 °C, 500 °C, 700 °C 온도에서 각각 Co₂Si, CoSi, CoSi₂가 형성된 것 을 확인하였다. FE-SEM 분석 결과, 코발트실리사이드가 균일하게 형성된 것을 확인하였으며, 요오드 전해질과의 내식성이 증가된 것을 확인하였다. CV 분석 결과, CoSi 와 CoSi₂의 환원촉매활성도가 Pt 대비 67 %, 54 %로 나 타내어 우수한 환원촉매특성을 가지고 있는 것을 확인 하였다. 따라서, 성공적으로 Co₂Si, CoSi, CoSi₂의 여러 가지 코발트실리사이드들을 제작하여 정량적인 환원촉매 특성들을 확인하였으며, 특히 CoSi의 경우 우수한 환원 촉매활성도와 내식성을 가지고 있어 염료감응형 태양전 지의 상대전극부에 Pt 대체 가능성을 확인하였다.