1.서 론
텅스텐카바이드(WC)-코발트(Co)는 경도, 인성, 연성, 강 도, 강성, 내강성 및 열충격 저항성의 뛰어난 조합으로 인해 마모 방지 부품이나 절삭공구, 금형 등에 사용할 수 있는 최적의 소재이고 오랜 시간 동안 연구되어 왔다. 그 러나 이러한 WC-Co 소재는 TiC 또는 NbC와 같은 카 바이드 소재나 소결조제 Fe, Ni, Cr, Cu 등과1) 같은 소 재로 대체하려는 연구나 노력을 많이 하였지만 여전히 WC-Co 소재가 상업적으로 가장 많이 사용되고 있다.
현재에도 WC-Co 초경소재의 특성을 향상시키기 위해 금속 및 탄화물을 첨가한 원소재 설계, 초기 분말의 형상 /입도 제어 및 다양한 성형(소결) 방법을 이용하여 연구하 고 있다. 원소재 설계시 TiC나 TaC, VC와 같은 소재를 첨가하여 결정립 성장 제어/억제(grain growth inhibitor- GGI) 시켜 WC의 최대 특징인 경도와 내마모성을 향상 시키는 연구가 보고되고 있다. 또한 WC의 취약한 인성 을 향상시키기 위해 B4C나 SiC, Si3N4와 같은 소재를 첨가시켜 WC의 결정립을 특정방향으로 비정상 결정성 장(abnormal grain growth-AGG) 시키는 연구도 보고되 고 있다.2,3)
대표적인 난성형(소결)성 소재로 알려진 HCP 구조의 WC는 상압소결, hot pressing 및 hot isostatic pressure 방법으로 제조되고 있으나 3,422 °C의 높은 융점으로 인 해 성형(소결)온도가 높고 외부 히터로부터 간접적으로 열을 받아 제조하는 방식으로 장시간 성형(소결) 공정으 로 인해 결정립 성장 제어가 어렵다. 또한 외부에서 열 을 받아 내부로 열원을 전달하기 때문에 내외부 온도편 차에 따른 물리적/기계적 특성 편차가 발생한다. 직접가 열방식의 방전플라즈마 소결공정은 소결하고자 하는 원 소재 분말에 높은 압력을 인가하고 동시에 대전류 사 각 직류펄스전류를 직접 통전시켜 분말과 분말 접촉점 에서 높은 줄열(Joule)이 발생하여 온도가 상승함에 따 라 원자의 확산이 빠르게 일어난다. 또한 전기장 하에 서는 원자의 확산이 빠르기 때문에 기존 외부간접가열 방식의 승온속도인 5에서 10 °C/min 보다 빠른 최소 30 에서 1,800 °C/min 이상의 속도 적용이 가능하다.4-7) 이 와 같은 방법으로 인해 빠른 승온속도 및 인가된 고압 력에 의해 치밀화 속도가 빠르고 직접가열 방식에 의해 균일한 물성의 소재를 제조할 수 있다.8,9)
본 연구에서는 WC 소재의 인성 특성을 향상시키기 위 해 Co 및 B4C 소재를 첨가하여 binderless-WC, WC-6 wt%Co, WC-6 wt%Co-1 및 2.5 wt%B4C 소재를 제조 하였다. Co 및 B4C 소재를 첨가함에 따라 미세조직 상 에서 AGG 형성을 관찰하였으며, 상 분석 및 기계적 특 성에 대한 분석/비교 평가를 하였다.
2. 실험 방법
본 실험을 진행하기 위하여 출발 원료는 WC (대구텍, 1.0 ~ 1.5 μm, 순도 99.95 %), Co (RND Korea, 5 ~ 10 μm, 순도 99.5 %) 및 B4C (Alfa, ~ 5 μm, 순도 99.5 %) 의 분말을 사용하였다. 원료분말의 균일혼합을 위해 습 식 수평형 볼 밀링 공정으로 24시간 동안 250 RPM으 로 혼합하였다.
혼합분말의 조성은 WC 소재 100 기준으로 Co 함량 은 6 중량비(wt%)가 첨가된 WC-6wt%Co, WC 소재 100 기준으로 Co 함량 6 중량비 첨가와 B4C 1 및 2.5 중량비가 첨가된 WC-6 wt%Co-1wt%B4C 및 WC- 6wt%Co-2.5wt%B4C 소재이다. 분말과 볼의 비율은 1 : 10 중량비로 하였으며, 지르코니아 볼(6 및 10 mmØ)을 사용하였다. 습식 볼밀링 공정을 위해 에탄올을 첨가하 였으며, 이때 분말과 에탄올의 비율은 1:10 중량비로 하 였다. 사용된 소재의 명칭이 길어짐에 따라 binderless- WC는 WC, WC-6wt%Co는 WC-6Co, WC-6wt%Co-1 wt%B4C는 1B4C, WC-6wt%Co-2.5wt%B4C는 2.5B4C로 명칭 하였다.
습식 수평형 볼밀링 공정으로 제조된 3가지 혼합분말 에 대해 Fig. 1과 같이 X선 회절 분석(XRD)을 이용하 여 상분석을 실시하였으며, 볼 밀링 중 지르코니아 볼 의 파손에 의한 불순물 혼입이나 2차상 없이 WC 피크 만 분석되었다.
습식 수평형 볼 밀링 공정으로 제조된 혼합분말을 흑 연 다이(외경 30 mm, 내경 10 mm, 높이 40 mm)에 충 전 후 상하부를 흑연 펀치로 막아주었으며, 밀봉된 흑 연 다이를 방전플라즈마 소결 장치에 장착 시켰다. 방 전플라즈마 소결 장치는 최대 1,000 A의 직류 전류를 사용 할 수 있으며 (pulse 12 ms on time and 2 ms off time), 최대 10 ton의 압력을 가할 수 있다. 실험 순 서로는 1단계에서 챔버 내에 혼합된 분말이 충전된 흑 연 몰드를 장입한 후 6 Pa의 진공 상태로 만들어 주며, 이 때 60 MPa의 압력을 동시에 인가하였다. 2단계로는 흑연 펀치에 직류 전류를 흘려주어 소결을 진행 하였으 며, 이 때 수축 길이의 변화를 관찰하면서 실험을 종료 하였다. 온도 변화 관찰은 파이로 메타를 이용하여 흑 연 다이 중앙 표면의 온도를 측정하였다. 이때 승온속 도는 파이로 메터 측정 시작온도인 600 °C까지 200 °C/ min으로 승온 후 최종 목적온도까지 100 °C/min으로 승 온 하였다. 수축길이가 변화되지 않는 온도에서 장비의 전원을 off 시킨 후 챔버 내에서 냉각 시키며 소결 진 행을 마무리 하였다.
제조된 시편의 밀도는 아르키메데스 방법을 이용하여 밀도를 측정하였으며, 소결체의 표면을 관찰하기 위하여 무라카미 부식법[5 g Fe3(CN)6, 5 g NaOH 및 50 mL의 증류수]을 이용하여 WC의 경우 약 90 ~ 110초, WC-6Co, 1B4C 및 2.5B4C의 경우 약 35 ~ 40초간 표면을 부식 시 켜 주사 전자 현미경을 이용하여 표면을 관찰하였으며, 선 형 분석법을 이용하여 결정립 크기를 측정하였다. 또한 소결 후의 상변화 관찰을 위하여 X 선 회절 분석을 실 시하였으며, 비커스 경도계를 이용하여 30 kgf 하중으로 15초간 유지하여 시편의 압흔 자국을 이용한 기계적 특 성 평가를 실시하였다.
3. 결과 및 고찰
Fig. 2는 소결시간에 따른 소결온도 및 WC, WC-6Co, 1B4C 및 2.5B4C 소재의 방전플라즈마 소결 중 수축길이 변화를 나타낸 그래프이다. WC 소재의 경우 약 1,100 °C 이후 급격한 수축 거동을 나타내었으며, 1,200 °C 이후 2차 수축이 진행되었다. 1,600 °C 이후 수축변화는 없었 고, 1,700 °C에서 소결은 종료되었다. WC-6Co의 경우 약 1,000 °C에서 급격한 수축 거동이 나타났으며, 1,200 °C 에서 소결이 종료되었다. B4C가 첨가된 1B4C 및 2.5B4C 의 경우 WC-6Co 소재보다 빠른 약 800 °C 이후부터 급 격한 수축거동이 나타났으며, WC-6Co와 동일하게 1,200 °C에서 소결이 종료되었다. WC소재에 Co가 첨가됨에 따 라 소결온도는 약 500 °C 정도 감소하였으며, 소결거동 또한 200 °C 정도 더 빠르게 진행되는 것을 확인하였다. Co가 첨가됨에 따라 소결거동이 빠르고 소결온도가 감 온된 이유는 소결조제로 첨가된 Co가 900 °C에서 액상 화됨에 따라 WC 분말 사이에 침투하고, WC 분말의 고 상 입자간의 재배열을 촉진시킴으로써 치밀화 효과를 빠 르게 진행된 것으로 생각된다.10) 또한 B4C가 첨가됨에 따라 WC-6Co 소재보다 200 °C 낮은 온도에서 소결거 동이 시작된 이유는 WC 분말의 고상 입자간 재 배열 을 촉진시킴에 따라 소결능을 더 향상 시킨 것으로 판 단된다.

Fig. 2
Variation of shrinkage displacement and sintering temperature with sintering time during SPSed WC, WC-6Co, 1B4C and 2.5B4C hard materials.
Fig. 3은 제조된 4가지 소결체의 상분석 결과이다. XRD 분석 결과, 4가지 소재 모두 WC 상만이 분석되었으며 소결 중 불순물 혼입에 의한 제 2차상이나 W2C와 같 은 상은 분석되지 않았다. 그 이유는 6 Pa의 고진공 상 태에서 빠른 승온속도로 소결이 진행됨에 따라 불순물 혼입을 방지하였기 때문으로 생각된다.
Fig. 4는 제조된 소결체의 미세조직 분석 결과이다. 미 세조직 분석 결과 WC 입자 주위에 Co가 분포되어 있 는 것으로 확인되었으며, B4C가 첨가됨에 따라 비정상 결정성장 (Abnormal Grain Growth, AGG)이 관찰되었 다. AGG가 생성되는 이유는 앞서 설명한 내용과 같이 WC의 결정화 과정에서 Co와 B4C가 고상 입자간 재배 열을 빠르게 촉진 시켜 WC 입계에 분포함으로써, 미세 한 입자의 WC는 상대적으로 조대한 WC 입자쪽으로 재 석출 되는 Ostwald ripening 메커니즘에 의해 결정립 성 장을 촉진 시킨 것으로 판단된다.11,12)

Fig. 4
FE-SEM images and high contrast mode of SPSed (a) WC, (b) WC-6Co, (c) 1B4C and (d) 2.5B4C hard materials [white: WC, gray: Co, and black: (W, B)Cx].
Fig. 5는 최종 소결온도에서 제조된 각 소결체의 상대 밀도 및 결정립 크기를 측정한 그래프이다. WC의 경우 99.5 %의 상대밀도를 가지는 것으로 분석되었으며, WC- 6Co, 1B4C 및 2.5B4C의 경우 이론밀도에 가까운 100 % 의 상대밀도를 가지는 것으로 분석되었다.
FE-SEM 이미지를 이용하여 선형 분석법으로 WC의 결정립 크기를 측정하였으며, 이때 ASTM B657 방법 (metallographic determination of microstructure in cemented carbides)을 인용하였다. 첫 번째로 소결체를 120번의 샌드페이퍼를 이용하여 표면 연마 후 점차 샌 드페이퍼의 번호를 높여 표면 연마를 실시하였다. 마지 막으로 다이아몬드 페이스트 6, 3, 1 및 0.25 μm를 이 용하여 소결체의 표면을 경면화하였다. 경면화된 소결체 는 무라카미 부식법을 이용하여 약 35 ~ 40초간 부식 시 킨 후 증류수를 이용하여 초음파 세척을 실시하였다. WC 의 결정립 크기 dwc와 Co의 평균 자유 행로(mean free path)로부터 일정 구역을 정하여 선을 그은 후 NWC/Co와 NWC/WC 상의 개수를 측정한 후 다음 식에 대입하여 WC 의 결정립 크기를 구하였다.
이때 VWC와 VCo는 WC와 Co의 체적 분수를 나타낸다. 이 식을 이용하여 WC의 결정립 크기를 구한 결과 WC 는 약 0.35 μm로 분석되었으나, WC-6Co의 경우 약 0.6 μm까지 결정성장 하는 것으로 분석되었다. WC-6Co 소 재에 B4C가 1 및 2.5 wt% 첨가됨에 따라 결정립 크기 는 약 0.73에서 0.86 μm로 증가하는 것으로 분석되었다. Co 및 B4C 첨가로 인하여 결정립이 조대화 된 이유는 Co의 준 액상화에 따라 점성유동과 모세관력에 의해 WC 분말의 고상 입자간의 재 배열에 의해 기인한 것으로 판 단된다.13) 즉, 고/액 계면에서의 상호확산은 전체 계의 계 면에너지를 약 1/5까지 감소시킴으로써, 국부적인 계면영 역에서 Co가 고상의 WC 결정립계로 용해 및 재석출되 는 형태로 상호확산된다. 이로써, WC의 입자들이 재 배 열되고 인접한 입자 사이의 평균 거리를 감소시킴으로 써, 전체 계의 계면 에너지가 감소된다. 따라서, 낮은 계 면에너지가 WC의 결정립 성장 구동력으로 작용될 수 있 다.14) 여기서, HCP 결정구조를 갖는 WC는 결정립 성 장방향에 따라 각각의 계면에너지(basal facet 방향: 1.07 ~ 1.34 J·m−2, prismatic 방향: 1.43 ~ 3.02 J·m−2)를 갖게 되는데, Co의 첨가에 의해 WC/Co 계면에서 상대적으로 에너지가 낮은 basal facet에서 편향된 연속적인 입자 성 장이 촉진될 수 있다. 이러한 거동에 의해 AGG가 야 기될 수 있다고 판단된다.15) 한 편, B4C는 일정 함량 이 상(> 1.0 wt%)에서는 WC/Co에 대부분 고용됨으로써, (W, B)Cx와 같은 complexion 층을 안정적으로 형성하지 못하고, 결정립 성장 제어제(grain growth inhibitor, GGI)의 역할을 수행하지 못한 것으로 사료된다.16) 즉, 기 존의 전이 금속계 탄화물들의 첨가에서 기대할 수 있는 바와 같이, B4C가 풍부한 영역이 WC 계면 사이에 석 출되어 계면 분리에 의한 WC 입자 결정립 미세화에 기 여할 수 없다고 판단된다.17) 결과적으로, 최종 소결 단 계에서 조대화 된 WC 결정립은 미세한 WC와 접촉하 는 경계면에서 결정립계 이동에 의한 성장보다 편향 된 facet 방향으로 핵생성을 야기하는 것으로 판단된다.
방전플라즈마 소결공정으로 제조된 4가지 소재에 대해 표면 경면처리를 진행 한 후 비커스 경도계를 이용하여 30 kgf의 하중으로 15초간 유지하여 생성된 압흔 및 전 파된 크랙의 길이를 측정하여 Antis 식으로 파괴인성을 측정하였다.18)
여기서 E는 탄성계수이고, H는 경도이고, P는 하중이며, C는 크랙의 길이를 나타낸다. 경도는 WC의 경우 가장 높은 약 2661.4 kg/mm2으로 측정되었으나, Co 첨가에 따라 2121.4 kg/mm2로 감소하였다. 또한 B4C 첨가량이 증가함에 따라 약 1721.4 kg/mm2까지 감소하였다. 파괴 인성의 경우 WC는 약 3.89 MPa.m1/2로 측정되었으나 B4C 첨가량이 증가함에 따라 10.94 MPa.m1/2로 약 3배 정도 증가하였다. Co 첨가로 인해 경도 특성이 하락하 고 파괴인성이 증가하는 이유는 크랙의 전파 시, WC/ Co계면에 도달했을 때, Co의 입내로 전파하려는 경향으 로 인한 것으로 판단된다. 즉, HCP 구조에 비해 연성 을 갖는 FCC구조의 Co에서는 더 많은 슬립 발생으로 인해 크랙의 선단을 무뎌지게 하고 흡수하여 주 크랙의 형성 및 전파를 방해하는 역할을 한다. 따라서, 넓은 영 역에서의 응력 분포를 야기함으로써, 결과적으로 파괴인 성의 향상에 기인한 것으로 판단된다. 한 편, B4C 첨가 역시 Co에 고용되어 WC 결정립계에 존재하면서 Co와 동일하게 파괴거동이 일어나 인성이 향상된 것으로 판 단된다.
4.결 론
WC와 수평형 볼 밀링공정을 이용하여 제조된 WC- 6Co, WC-6Co-1B4C 및 WC-6Co-2.5B4C 소재에 대해 방전플라즈마 소결공정을 이용하여 소결체를 제조하였 다. 제조된 소결체는 99.5 % 이상의 높은 상대밀도를 가 지는 것으로 측정되었으며, XRD 상분석 결과 불순물 및 W2C와 같은 제 2차상은 분석되지 않았다. 제조된 소결 체의 결정립 크기 측정결과 binderless-WC 소재는 약 0.37 μm로 측정되었지만 Co 첨가에 따라 약 2배 정도 인 0.6 μm 결정 성장을 하는 것으로 확인되었다. WC- 6Co에 B4C 첨가에 따라 AGG 생성으로 0.86 μm까지 증가하는 것으로 확인되었다. Binderless-WC의 경우 약 2661.4 kg/mm2로 높은 경도를 나타내었지만 Co 첨가로 인해 2121.3 kg/mm2로 감소되는 것을 확인하였다. 또한 B4C 첨가로 인해 1721.4 kg/mm2까지 감소하였지만, 파 괴인성은 10.94 MPa.m1/2까지 약 3배 증가시켰다.






