1. 서 론
원통형상의 타겟을 이용하는 원통형 마그네트론 스퍼 터장치는 구조적으로 스퍼터링된 입자가 기판에 비스듬 하게 입사될 가능성이 높다. 따라서 증착될 때에 그림 자효과가 강하게 나타나며, 간극이나 공공이 많은 구조 의 박막으로 되기 쉬운 특징이 있다.1-4) 이것에 대한 대 책으로서는 바이어스 스퍼터링이 효과적이며, 저자들은 파 단면에 뚜렷한 딤플이 관찰될 정도로 치밀한 Ti박막을 제 작한 것에 대하여 보고하였다.5,6)
산화타이타늄(TiO2)은 n형 반도체이며, O2 센서 및 온 도센서 등에 이용되고 있다.7) 센서용 박막에서는 표면의 요철(凹凸)을 이용하여 박막의 표면적을 넓게 하는 경우 가 있으며, 이와 같은 목적을 위해서는 그림자효과를 이 용하는 것이 유효하다고 판단된다. 즉, 원통형 마그네트 론 스퍼터장치를 사용하여 그림자효과를 최대한 이용하 여 Ti박막을 증착한 후, 산화처리에 의해 표면적을 넓게 한 TiO2박막을 제작하는 2단계 증착법이 가능하다.
일반적으로 높은 Ar가스 압력 하에서 스퍼터링을 하 면 불순물가스가 박막 속으로 혼입된다. 그러나 2단계 증 착법에서는 산소가스의 혼입은 문제가 되지 않으며, 증 착 후 산화처리에 이용될 수 있다. 또한, 질소가스 등 은 박막형성 과정에서 성장하여 어떠한 결정면에 흡착 되어 스퍼터링된 입자의 확산을 억제하는 효과도 기대 할 수 있다. 따라서 본 실험에서는 유회전 펌프만으로 배기하였기 때문에 잔류 불순물가스를 성장하고 있는 박 막의 결정면에 흡착시키는 것으로 스퍼터링된 입자의 확 산을 억제하여 박막구조를 변화시켰으며, 본 연구는 2단 계 증착법 개발을 위한 제1단계로서 그림자효과가 뚜렷 하게 나타날 수 있는 높은 Ar가스 압력 하에서 제작한 Ti박막의 구조에 대하여 조사하는 것을 목적으로 한다.
2. 실험 방법
Fig. 1은 본 실험에 사용한 원통형 마그네트론 스퍼터 장치의 구조도이다. 본 장치는 양극에 (+)전압을 인가하 여 스퍼터링 하는 것이 특징이다. 타겟으로는 pure Ti rod(길이 130 mm, 외경 100 mm)를 내경 90 mm로 깎아 내어 사용하였다. 유확산 펌프는 사용하지 않고, 유회전 펌프만으로 30분 동안 배기하여 박막을 증착하였다. 방 전전압은 일반적인 스퍼터장치보다 낮은 220 ~ 260 V의 범위에서 방전전압을 조절하여 방전전류를 500 mA로 유 지시켰다. 타겟 외부에 설치한 전자코일에 2 A 또는 4 A 의 전류를 흘렸다. 2 A의 전류를 흘리면 자장의 세기는 타겟 중심축 상에서 1.4 × 10−2 T이었으며, 이외의 증착 조건은 다음과 같다. (1) 증착조건1 : 직경 0.35 mm의 스테인리스 와이어를 상하부에 있는 winder에 설치하였 다. 방전을 시작한 후 15분 동안 방치하고, 이후 winder 장치에서 스테인리스 와이어를 30 cm 감았다. 소정의 증 착조건으로 다시 조정하여 60분 동안 증착하였다. Ar가 스 압력은 5.6 ~ 20 Pa의 범위에서 변화시켰으며, 스테인 리스 와이어는 스퍼터장치 본체와 전기적으로 절연시켰 다. (2) 증착조건2 : Cu plate(폭 7 mm, 길이 245 mm, 두께 0.4 mm)를 상부의 winder장치에 Cu wire로 매달 아 기판으로 하였다.
Ar가스압력은 12 Pa로 하였으며, 이때의 기판은 이동 할 수 없기 때문에 방전을 시작한 후 1시간 내에 증착 을 완료하였다. 방전전류가 500 mA로 안정될 때까지 방 전전압을 조절하였다. Winder장치의 진공 외부 쪽에 직 류 (+)전압을 인가하여 Cu plate의 전위를 변화시켜 양 극-기판 사이의 전위차를 오실로스코프를 이용하여 관 찰하였다. 증착된 스테인리스 와이어 및 Cu plate를 절 단하여 절단면 부근의 박막표면 및 파면을 FE-SEM (JEOL, JSM-6301F)을 이용하여 관찰하였다. XRD(X-ray diffraction, JEOL, JDX-35HS)를 이용하여 산화물의 형 성 여부를 판단하였으며, 박막 두께는 FE-SEM의 이미 지로 측정하였다.
3. 결과 및 고찰
3.1 Ti 박막의 구조와 색
스테인리스 와이어는 14 ~ 20 cm 정도의 길이가 증착 되었으며, Ar가스압력이 높은 쪽이 증착된 길이가 짧은 경향을 나타내었다. Fig. 2는 증착된 부분의 중심부근에 대한 색조 및 FE-SEM 사진 상에서 측정한 박막두께이 다. 약 12 Pa 정도의 Ar가스압력으로 증착된 박막은 흑 색이며, 막 두께도 두껍다.
이와 같은 박막은 Fig. 3과 같이 뚜렷한 주상정구조를 나타내며, 주상결정의 측면에는 주기적인 요철 (凹凸)이 관찰되었다. 또한, 기판에 접한 부분을 제외하면 주상결 정들은 서로 독립하여 있다. 스퍼터링으로 제작한 박막 의 내부구조 모델8)에 따르면, 간극이 많은 주상정구조는 Zone I 구조이므로, Zone I 구조보다 그림자효과의 영 향이 강하게 나타난 특이한 구조가 형성되었다고 판단 된다. Ar가스압력이 10 Pa인 경우는 회색을 나타내었으 며, Fig. 4에 회색박막의 SEM 이미지를 나타내었다. Ar 가스압력을 더 낮게 하면 광택이 있는 은백색의 박막이 제작되었다. Ar가스압력이 16 Pa로 높아지면 회색을 나 타내었다. 따라서 전술한 특이한 구조가 나타나는 Ar가 스압력의 범위는 좁으며, 그 양측에는 회색의 박막을 형 성하는 영역이 존재하는 것을 알 수 있다. Ar가스압력 을 20 Pa까지 높게 하면 박막의 색조는 흑색을 나타내 었다. 이 박막은 미립자가 퇴적한 것과 같이 간극이 많 은 구조이며, 천으로 문지르면 박리되어 천에 부착되었다.
Fig. 3
Growth morphology of black titanium films deposited at a pressure of 12 Pa: (a) surface and (b) cross-sectional microstructures.
Fig. 4
Growth morphology of gray titanium films deposited at a pressure of 10 Pa: (a) surface and (b) cross-sectional microstructures.
본 실험은 유회전 펌프만으로 배기하였기 때문에 산화 물이 형성될 가능성이 높다. 그래서 기판에 테프론 테 이프를 이용하여 증착조건1과 동일하게 증착하여 XRD 를 이용하여 측정하였다. Fig. 5가 XRD측정 결과이다. Ar가스압력 5.6 Pa에서의 박막은 은백색이며, 기지상인 테 프론 회절선 이외에 α-Ti의 010, 002 및 011의 회절선 이 나타났다. 또한, Ar가스압력 12 Pa에서의 박막은 흑 색이며, 폭넓은 011 회절선만이 나타났다. 그러나 산화 타이타늄(TiO2)의 회절선은 나타나지 않았기 때문에 주 로 α-Ti의 결정립으로부터 형성되는 박막이라고 판단된 다. 흑색 Ti박막에서는 002의 회절선이 전혀 나타나지 않 기 때문에 은백색의 Ti박막과는 배향성은 다르지만, 결 정립의 간극에 광이 입사되어 거의 흡수되기 때문에 흑 색으로 나타나는 것이라고 생각된다.
박막이 형성되는 초기부터 Fig. 3과 같은 특이한 구조 를 나타내는 박막이 성장하는 것을 확인하기 위하여 증 착조건1과 동일한 순서로 3분 동안 증착하였다. 이 때, free-sputter를 충분히 실시하였으며, Ar가스압력은 12 Pa 로 하였다. 제작한 박막을 SEM을 이용하여 관찰한 이 미지를 Fig. 6에 나타내었다. Fig. 3과 유사한 구조이며, 뚜렷하고 미세한 주상결정으로 구성되어 있는 것을 알 수 있다. Ti박막이 이와 같은 특이한 구조를 나타내는 것 은 고융점 금속이기 때문에 기판에 도달한 스퍼터링된 입자의 표면확산이 작고, 그림자효과의 영향이 강하게 나 타났기 때문이다. 이와 같은 현상을 확인하기 위하여, pure Al박막을 Ti박막과 동일하게 Ar가스압력 12 Pa에서 1시간 동안 증착하여 제작한 박막이 나타낸 색깔은 백 색이었다. 박막표면에는 주상결정의 선단부분이 4각추형 상으로 성장되어 있었고, 파단면에는 주상결정의 측면에 흑색 Ti박막과 유사한 주기적인 요철(凹凸)이 관찰되었다.
3.2 이온충격의 영향
증착된 Cu plate에서도 증착부분의 중심부근에 흑색의 Ti박막이 형성되었다. 박막이 형성된 위치에 따라 색깔 의 차이가 뚜렷하였기 때문에 그 형상을 도식화 하였다. 양극-기판간의 전위차 순으로 정리하여 Fig. 7에 나타내 었다.
도식화한 그림의 우측상부에 전위차의 파형을 나타내 었다. 스퍼터 전원이 정전압화 되어 있기 때문에 양극- 기판 사이의 전위는 변동한다. Fig. 7의 (1)은 코일에 2 A의 전류를 흘려 기판을 절연시키고, (2)는 바이어스 전 원 전압을 약간 높게 하여 기판에서 어스로 수 mA의 전류가 흐르게 조정한 것이다. (-)바이어스의 크기에 따 라 흑색박막이 형성되는 영역이 변화하며, -10 ~ -30 V의 전위차 파형을 나타낸 (4)의 경우가 흑색박막이 형성된 영역이 가장 넓다. Fig. 7에 표시한 a, b, c, d부분의 SEM 이미지를 Fig. 8에 나타내었다. b는 흑색막으로 2 층 구조이며, c는 광택부에서 뚜렷한 Zone I 구조가 관 찰되었다.
Fig. 7과 같이 어떠한 조건에서도 흑색막이 형성된 영 역은 Cu plate의 외측이 넓고, 중심부가 좁다. Cu plate 를 타겟 중심축에서 15 mm 정도 이동시켜 동일한 조건 으로 증착하여도 Cu plate의 외측이 넓었으며, 테프론 테이프(폭 13 mm)를 이용한 경우도 동일한 결과이었다. 따라서 타겟과 기판과의 위치관계보다 오히려 기판의 크 기와 형상에 따라 흑색막이 형성되는 영역이 좌우된다 고 판단된다. Cu plate 주위에 형성된 암부는 희미하 지만 Fig. 9와 같은 형상으로 관찰된 점으로부터 기판 주위의 불균일한 전계에 의한 ion sheath의 두께 차이 가 흑색막이 형성되는 영역에 영향을 미친것이라고 판 단된다.
3.3 박막표면의 결정성장 형태
Fig. 10은 Fig. 7에 나타낸 e부분에 대한 박막표면의 SEM 이미지이다. 주상결정의 선단부분을 위에서 관찰하 면 결정의 선단은 4각추 형상으로 성장되어 있다. 4각 추의 크기는 약 100 nm 이하이며, 뚜렷하고 주상결정이 조밀한 것을 알 수 있다. 결정의 선단부가 평면으로 구 성되어 있는 것은 가스를 이용하여 증발법으로 제작한 금속미립자의 외형이 다각형으로 되는 것과 유사하다.8) 또, 이와 같은 결정이 성장하는 형태는 저진공에서 스 퍼터법으로 증착한 ZnO:Al박막에서도 관찰되었다.9,10) 본 실험은 높은 Ar가스압력 하에서 증착하였으며, 스퍼터링 된 입자는 기판에 도달할 때까지 Ar가스원자와 충돌을 반복하여 운동에너지를 거의 잃은 상태로 기판에 도달 한다. 따라서 가스를 이용한 증발법에서 잔류가스가 부 족한 조건으로 증착되었다고 판단된다. 흑색막의 주상결 정은 선단부분이 facet와 같은 평탄부로 구성된 것이 관 찰된 점으로부터 결함이 많은 1개의 단결정이나 몇 개 의 결정립으로 구성되어 있다고 생각된다.
이와 같은 고찰과 Fig. 3의 상부구조와 Fig. 6의 구조 가 유사한 점으로부터 주상결정의 선단부 형상은 증착 초기에 형성된 미세결정의 외형과 서로 유사하다고 판 단된다.
3.4 주상결정 측면에 주기적인 요철(凹凸)이 형성된 이유
증착초기에 형성된 다각추 형상인 미세결정이 성장하 면, 미세결정이 성장하기 시작한 부분에 직접 도달하게 되는 스퍼터링된 입자는 입사각도가 작아지는 것에 따 라 감소한다. 다각추 형상의 미세결정이 서로 비슷하게 성장하기 위해서는 선단부에 도달한 입자가 표면에서 확 산하여 미세결정이 성장하기 시작한 부분에 보급되는 것 이 필요하다. 어느 정도 이상으로 성장하면 직접 스퍼 터링된 입자가 도달하지 못하게 되는 점과 표면확산에 의해 보급경로가 길어지게 되어 결정이 성장하기 시작 한 부분의 성장이 멈추게 되며, 이때, 인접한 결정과는 아직 결합되지 못한 상태이다. 결정이 성장하기 시작한 부분에서 멀리 있는 부분은 그대로 유사한 성장을 지속 하기 때문에 단차가 형성된다. 이와 같은 현상의 반복 에 의해 주기적인 요철(凹凸)이 형성된다. 따라서 증착 초기의 섬상구조(island structure)의 형성과 그림자효과 및 표면확산 정도가 주기적인 요철(凹凸)형성에 크게 영향 을 미친다고 생각된다. 본 실험에서 관찰된 Zone I 구 조인 박막은, 미세결정이 서로 비슷하게 성장하여 인접 한 미세결정과의 충돌에 의해 결정입계로 되었다고 판 단된다.
4. 결 론
원통형 마그네트론 스퍼터장치를 이용하여 스테인리스 와이어에 Ti박막을 증착시켜 증착된 박막의 색, 구조 및 이온충격의 영향에 대하여 조사하여 다음과 같은 결론 을 얻었다.
(1) 12 Pa 정도의 Ar가스압력으로 증착된 박막은 흑색 이었으며, 뚜렷한 주상정구조를 나타내었고, 주상결정의 측면에는 주기적인 요철이 관찰되었다. Ar가스압력이 10 Pa인 경우는 회색을 나타내었으며, Ar가스압력을 더 낮 게 하면 광택의 은백색 박막이 제작되었다.
(2) 이온충격의 영향으로는 (-)바이어스의 크기에 따라 흑색박막이 형성되는 영역이 변화하였으며, -10 ~ -30 V의 전위차 파형을 나타낸 경우가 흑색박막이 형성된 영역 이 가장 넓었는데, 이것은 타겟과 기판과의 위치관계보 다 기판의 크기와 형상에 따라 흑색막이 형성되는 영역 이 좌우된다.
(3) 흑색박막 표면의 주상결정은 선단부분이 facet와 같 은 평탄부로 구성된 것이 관찰된 점으로부터 결함이 많 은 1개의 단결정이나 몇 개의 결정립으로 구성되어 있다.
