Korean Journal of Materials Research. March 2022. 153-160
https://doi.org/10.3740/MRSK.2022.32.3.153

ABSTRACT


MAIN

1. 서 론

그래핀 및 전이금속 디칼코게나이드(TMD)1)와 같은 2 차원 나노물질2)은 원자 두께와 관련된 놀라운 화학적, 물 리적, 기계적 특성을 갖는 새로운 종류의 물질로서 큰 관심을 끌고 있다.3) 2차원 나노물질 또는 초박형 나노 시 트는 두께가 하나 또는 몇 개의 원자 층일 때 나노 물 질의 한 형태이다. 사용 가능한 2차원 재료의 유형은 계 속해서 증가하고 있으며 현재까지 육각형 질화붕소 및 실리신과 같은 그래핀 유사체 및 전이금속 디칼코게나 이드 및 탄화물과 같은 층상 화합물의 기타 나노시트를 포함하여 다수의 다른 2차원 나노물질이 개발되었다.4-5) Wurtzite, rocksalt, zinc blende같은 다양한 결정구조를 가지는6) ZnO 나노 구조는 발광 다이오드, 레이저 다이 오드 및 전계 방출 장치7-8) 압전 장치9) 광전지 장치10) 촉매11) 하이브리드 태양 전지12-13) 및 가스 센서14-15)를 포 함한 다양한 장치의 제조에 사용된다. ZnO 나노시트와 같은 2차원 나노 구조는 차원이 다른 나노구조의 새로 운 물리적 화학적 응용을 탐구할 수 있는 좋은 기회를 제공하였고, 높은 결정도, 큰 표면적 대 부피비와 더 나 은 전도성을 가진다.16-17) 최근 건강, 안전 및 환경을 개 선하기 위해 항균성 시험과 환경 독성 시험이 널리 연 구되고 있는데,18-19) 60 meV의 자유 exciton binding 에 너지와 상온에서 밴드갭이 3.3 eV를 가지는 반도체 재 료 ZnO20)는 독특한 광학, 발광, 전자, 광전자 및 생체 적합성으로 인해 점점 더 많은 관심을 끌고 있다. ZnO 는 화학적 안정성이 높고 감광성이 강하며 무 독성 특 성을 갖고 있어 항균 재료에 널리 사용되고 입자 크기 가 나노미터 범위로 감소될 때 상당한 항균 활성을 나 타낸다.21-23) 지난 몇 년간 화학 기상 증착(chemical vapor deposition, CVD)24)와 같은 상향식 방법, 침전,25) solgel, 26) 마이크로에멀젼,27) 열수,28) solvothermal29) 및 sonochemical30) 방법 등 ZnO 나노구조를 합성하기 위해 다양한 기술이 사용되었다.4,20, 31)

최근 이온 층 에피택시(ionic layer epitaxy, ILE)라는 새로운 상향식 기술이 물-공기 계면에서 나노미터 두께 의 2차원 물질을 합성 시키기 위해 개발되었으며, 이는 비 적층 결정구조를 가지는 물질도 새로운 2차원 나노 물질군으로 합성하는데 많은 기회를 제공했다.32)

본 연구에서는 ILE 합성법을 이용하여 합성된 ZnO/ Zn(OH)2 나노시트의 형태와 두께에 대한 연구를 보고하 고자 한다. 합성 온도, 반응 시간을 변경함으로써 ZnO/ Zn(OH)2 나노시트의 형태와 두께를 조정하여 가장 안정 적이고 이상적인 형태와 두께를 가지는 ZnO/Zn(OH)2 나 노시트를 합성하고자 한다.

2. 실험방법

2.1. 합성

ZnO/Zn(OH)2 나노시트는 ILE 방법33-34)으로 합성되 었다. 일반적인 합성 과정에서 Zn nitrate 5 mM을 Di water 35 mL와 섞고 HMTA(hexamethylenetetramine) 5 mM을 Zn nitrate와 마찬가지로 Di water 35 mL와 섞어 준 후 이 두 수용액을 섞어 총 70mL 수용액을 유리용기 에 제조 하였다. 이어서, sodium hexadecyl sulfate 0.1 vol%가 포함된 chloroform 5 mL을 섞은 계면활성제 20 μL를 수용액 표면에 분산시킨다. 그런 다음 수용액을 대 기 중에 30분 동안 노출시킨다. 그 후 70 °C로 설정된 convection oven에 넣어 3시간 동안 열처리 하였으며, 유 리용기를 oven에서 꺼낸 다음 일반적으로 SiO2로 코팅 된 Si wafer를 사용하여 물-공기 계면에 합성된 ZnO/ Zn(OH)2 나노시트를 scoop 하였다.

2.2. 분석

나노시트의 상 구성은 파장 λ=1.54 Å의 Cu-Kα 방사 선 소스를 사용하는 X-선 회절패턴 (XRD, BRUKER, D8 Advance A25)으로 특성화 되었다. 나노시트의 형태 와 미세구조는 전계방사 주사전자현미경(FE-SEM, JEOL JSM-7610F, JAPAN), 투과전자현미경(TEM, FEI Titan3 G2)을 사용하여 조사하였다. 나노시트 두께의 지형적 특성은 원자간력현미경(AFM, Veeco Multimode V)으 로 특성화 되었다. 나노시트의 결합 분석은 Al-Ka Xrays, 1,486.6 eV를 사용하는 X선 광전자 분광계(XPS, Thermofisher Scientific K-Alpha+)에서 수행되었다.

3. 결과 및 고찰

Fig. 1은 합성된 ZnO/Zn(OH)2 나노시트들의 합성되는 개략도와 SEM 이미지를 보여준다. Fig. 1(a)에 개략적 으로 도시된 바와 같이, Zn nitrate 수용액과 HMTA 수 용액을 섞은 수용액에 계면활성제를 떨어뜨리면 계면활 성제에 녹아있는 sodium hexadecyl sulfate가 물에 녹아 들려는 성질을 가지는데 이때 chloroform이 물에 녹지 못 하도록 물 계면에서 잡아주는 역할을 하고 chloroform을 30분간 날려준 후에는 공기가 그 역할을 대신하며 물- 공기 계면에 sodium hexadecyl sulfate (SO3) 음이온과 수용액 속에 녹아 있던 Zn2+ 금속 양이온이 붙어 ionic layer를 형성하게 된다. 이후 convection oven에서 열처 리를 하게 되면 ZnO/Zn(OH)2 나노시트들이 합성되며 이 나노시트들을 Si wafer 위에 옮겨 우선적으로 optical microscopy (OM)으로 관찰하였다. 그 후 합성한 샘플의 형상을 더 자세히 확인하기 위해 SEM 분석을 진행하 였고, Fig. 1(b-d)는 각각 60 °C, 70 °C, 80 °C에서 합성 한 ZnO/Zn(OH)2 나노시트들의 동일한 배율에서의 SEM 이미지를 나타낸다. 온도가 증가할수록 나노시트들의 크 기는 커지는 것을 가장 먼저 확인 할 수 있다. Fig. 1(b) 에서는 60 °C에서 합성한 나노시트들의 형태가 완벽한 삼 각형을 형성하지 못하고, Fig. 1(c)에서는 70 °C에서 합 성한 나노시트들이 Fig. 1(a) 모식도와 같이 정삼각형 형 태를 가져 형상적으로 가장 완벽한 것을 보여준다. Fig. 1(d)에서는 80 °C에서 합성된 나노시트들이 삼각형 형태 를 가지면서 가운데 구멍이 뚫려 있어 형상적으로 불안 정 하다. Fig. 2에서 저 배율 SEM 이미지를 보여주는 데 이 이미지들을 통해 각 온도 별 밀도는 60 °C에서 가장 떨어졌으며, 70 °C와 80 °C에서는 밀도가 서로 비 슷한 것을 확인 할 수 있다. 추가로 60 °C 이미지와 80 °C 이미지를 보게 되면 나노시트 주위에 OH와 같은 유기물 들이 particle 형태로 존재하는 것을 볼 수 있는 데 이를 통해 합성된 샘플이 ZnO/Zn(OH)2 임을 보여준 다. Fig. 3에서는 각 1시간, 2시간, 4시간 동안 70 °C에 서 합성하였을 때의 SEM 이미지를 보여주는데, 각 이 미지들을 3시간 동안 합성한 결과의 SEM 이미지와 비 교해보았을때 3시간 동안 합성한 ZnO/Zn(OH)2 나노시 트가 가장 완벽한 정삼각형 형태를 가지며 밀도도 가장 높다는 것을 확인 할 수 있다.

https://cdn.apub.kr/journalsite/sites/mrsk/2022-032-03/N0340320306/images/MRSK-32-3-153_F1.jpg
Fig. 1

Synthesis of ZnO/Zn(OH)2 nanosheets. (a) Schematic illustration of the ILE synthesis of ZnO/Zn(OH)2 nanosheets (b-d) SEM images of the nanosheets synthesized at 60 °C, 70 °C and 80 °C respectively.

https://cdn.apub.kr/journalsite/sites/mrsk/2022-032-03/N0340320306/images/MRSK-32-3-153_F2.jpg
Fig. 2

Low magnification SEM images of the nanosheets synthesized at (a) and (d) 60 °C, (b) and (e) 70 °C and (c) and (f) 80 °C respectively.

https://cdn.apub.kr/journalsite/sites/mrsk/2022-032-03/N0340320306/images/MRSK-32-3-153_F3.jpg
Fig. 3

SEM image of the nanosheets synthesized at 70 °C for (a) 1 hour (b) 2 hours and (c) 4 hours, respectively.

https://cdn.apub.kr/journalsite/sites/mrsk/2022-032-03/N0340320306/images/MRSK-32-3-153_F4.jpg
Fig. 4

Typical 2D AFM images of ZnO/Zn(OH)2 nanosheets synthesized at (a) 60 °C, (b) 70 °C and (c) 80 °C. (d-f) Line profiles taken along the white line shown in (a), (b) and (c).

Table 1은 온도별 합성된 나노시트의 평균 크기를 보 여주고, 온도가 증가 할 수록 평균 크기는 증가하였음 을 알 수 있다.

Table 1

Average size of synthesized ZnO/Zn(OH)2 nanosheets at each temperature.

https://cdn.apub.kr/journalsite/sites/mrsk/2022-032-03/N0340320306/images/MRSK-32-3-153_T1.jpg

Si wafer 위에 전사된 ZnO/Zn(OH)2 나노시트의 표면 형태와 두께는 AFM을 통해 분석되었다. Fig. 4(a-c)는 ZnO/Zn(OH)2 나노시트의 2차원 AFM 표면 높이 형태를 보여주고 각각의 이미지를 보면 온도 별 나노시트들의 형 태가 앞서 Fig. 1(b-d)에서의 SEM 이미지와 동일한 것 을 확인 할 수 있다. 60 °C에서 합성한 ZnO/Zn(OH)2 나노시트의 표면[Fig. 4(a)]에 몇개의 작은 구멍이 뚫려 있고 시트 위에 조그마한 불순물들이 올라가 있는 것을 볼 수 있다. 70 °C에서 합성한 ZnO/Zn(OH)2 나노시트의 표면[Fig. 4(b)]은 시트의 일부분이 떨어져 나간 것을 확 인 할 수 있으며, 마지막으로 80 °C에서 합성한 ZnO/ Zn(OH)2 나노시트[Fig. 4(c)]는 가운데 큰 구멍과 약간 의 crack이 있는 것을 확인할 수 있고, 시트의 변 부분 이 매끄럽지 않은 것을 확인 할 수 있다. AFM 2차원 이미지 아래에 나온 그래프[Fig. 4(d)-(f)]는 각 이미지 상 에서 흰 선으로 표시된 부분의 온도 별 두께를 차이를 보여주고 있다. Si wafer에 전사된 나노시트의 두께를 측 정해본 결과 60 °C, 80 °C에서는 각각 3.2 nm, 3.7 nm로 측정 되었으며 70 °C에서는 4.4 nm로 70 °C가 가장 두 껍다는 것을 알 수 있다.

Fig. 5(a)-(d)는 합성된 ZnO/Zn(OH)2 나노시트들을 hot plate, O2 p lasma, U V O로 후처리를 한 O1s XPS 결과 이미지이다. O1s 스펙트럼에서 529.8 eV, 530.9 eV 및 531.9 eV의 결합 에너지 peak는 각각 O의 Zn-O, Zn- OH, C=O peak에 할당된다. hot plate, O2 plasma 등 다양한 후 처리를 진행하여 샘플에 존재하는 Zn(OH)2의 비율을 줄이고 전체적인 ZnO 나노시트의 양을 늘이는 것을 목표로 한다. 따라서 XPS O1s peak에서 Zn-O peak는 높고 Zn-OH peak는 낮은 것을 얻는 것이 가장 이상적인 결과이다.31) 아무런 후 처리를 하지 않은 ZnO/ Zn(OH)2 나노시트의 O1s peak [Fig. 5(a)]를 기준으로 하여 다른 결과들과 비교 하였을 때 200 °C hot plate에 서 30분 동안 열처리[Fig. 5(b)]를 가하면 전체적으로 peak의 intensity가 증가하는 것을 볼 수 있고, O2 plasma 를 30분동안 처리한 경우에는[Fig. 5(c)] Fig. 5(a)와 비 슷한 결과가 나왔다. 마지막으로 U V O를 1시간 동안 처 리[Fig. 5(d)] 하였을 때에는 모든 peaks가 hot plate에서 30분 동안 열처리를 한 결과와 같이 증가한 것을 볼 수 있지만 hot plate에서 열처리 한 것 보다 Zn-O의 peak 이 훨씬 많이 증가 한 것을 확인 하였다. Fig. 6은 각 후 처리 방법에 따른 XPS Zn 2p 결과를 보여주는데, 이 결과에서도 마찬가지로 Zn-O peak을 높이고 Zn-OH peak을 낮추는 후 처리가 Fig. 5에서의 확인된 바와 같 이 U V O를 1시간 후 처리를 진행하였을 때 임을 알 수 있다. 따라서 Zn 2p와 O1s 결과를 종합해 보았을 때 UVO 1시간 후 처리가 가장 이상적인 결과라는 것을 알 수 있다.

https://cdn.apub.kr/journalsite/sites/mrsk/2022-032-03/N0340320306/images/MRSK-32-3-153_F5.jpg
Fig. 5

XPS spectra showing O1s of the ZnO/Zn(OH)2 nanosheets (a) pure ZnO/Zn(OH)2, (b) heated for 30 minutes on a 200 °C hot plate (c) O2 plasma treated for 30 minutes and (d) UVO treated for 1 hour samples, respectively.

https://cdn.apub.kr/journalsite/sites/mrsk/2022-032-03/N0340320306/images/MRSK-32-3-153_F6.jpg
Fig. 6

XPS spectra showing Zn 2p of the ZnO/Zn(OH)2 nanosheets (a) pure ZnO/Zn(OH)2, (b) heated for 30 minutes at 200 °C hot plate, (c) O2 plasma treated for 30 minutes, and (d) UVO treated for 1 hour samples, respectively.

나노시트의 구조적 특성을 알아보기 위해 XRD 분석 을 실시하였다. Fig. 7(a)는 60 °C, 70 °C, 80 °C에서 합 성한 ZnO/Zn(OH)2 나노시트의 XRD 패턴과 Fig. 7(b) 는 hot plate, UVO, O2 plasma로 후 처리 한 것을 후 처 리 하지 않은 ZnO/Zn(OH)2 와 비교한 Fig.이다. Fig. 7 에서 보이는 바와 같이 모든 XRD 패턴은 ZnO(100) 평면에 해당하는 모든 필름에 대해 회절 각도 33° 부 근에서 두드러진 peak를 보여준다. Fig. 7(a)를 보게 되 면 온도가 높을수록 ZnO(100) peak과 Zn(OH)2의 peak intensity가 증가하는 것을 볼 수 있다. 특히 80 °C에서 합성된 ZnO/Zn(OH)2의 경우 Zn(OH)2의 peak이 추가 적으로 더 나타나는 것을 확인 할 수 있는데 이는 온 도가 증가 할수록 ZnO/Zn(OH)2 내에 Zn(OH)2가 더 많 이 존재 한다는 것을 나타낸다. Fig. 7(b)는 200 °C hot plate에서 30분, O2 plasma 30분, UVO 1시간 동안 후 처리한 XRD 결과를 후 처리를 하지 않은 ZnO/Zn(OH)2 와 비교했을 때, 모든 후 처리 공정에서 ZnO peak는 매 우 큰 폭으로 증가하였고, Zn(OH)2도 큰 폭은 아니지만 소량 증가 한 것을 볼 수 있다.

https://cdn.apub.kr/journalsite/sites/mrsk/2022-032-03/N0340320306/images/MRSK-32-3-153_F7.jpg
Fig. 7

(a) The XRD patterns of ZnO/Zn(OH)2 nanosheets synthesized at 60 °C (blue line), 70 °C (red line) and 80 °C (black line) (b) Pure (black line), heated for 30 min at 200 °C hot plate(blue line), O2 plasma treated for 30 minutes (green line), UVO treated for 1 h(red line) XRD pattern of ZnO/Zn(OH)2 nanosheet synthesized at 70 °C.

XPS와 XRD 결과를 종합해 보면 다양한 후 처리 공 정 중 UVO 1시간 후 처리 공정이 ZnO/Zn(OH)2 나노 시트의 Zn(OH)2는 감소시키고 ZnO는 증가시키는 공정 임을 알 수 있다.

Scanning TEM (STEM)은 나노시트의 결정도를 조사 하기 위해 적용하였다. Fig. 8(a)는 저배율에서의 ZnO/ Zn(OH)2 나노시트의 일반적인 STEM 이미지를 보여준 다. 모든 ZnO/Zn(OH)2 나노시트들은 균일한 삼각형 이 고 뭉쳐 있지 않음을 알 수 있다. Fig. 8(b) 고배율에서 의 ZnO/Zn(OH)2 STEM 이미지를 보여주고, 나노시트의 형상이 매우 안정적인 삼각형 형상을 형성 하고 있다 는 것을 보여준다. Fig. 8(c)는 high-resolution STEM (HRSTEM)이미지를 보여주고 삽입된 그림은 해당하는 digital diffractogram을 보여준다. HRSTEM 이미지를 통 해 합성된 ZnO/Zn(OH)2 나노시트가 단결정인 것을 보 여주며, 격자 무늬 사이의 d-spacing 값은 0.281 nm로 밝 혀져 wurtzite ZnO의 (100)면에 해당한다. 삽입된 digital diffractogram은 ZnO/Zn(OH)2 나노시트의 단결정 특성을 보여주며, ZnO/Zn(OH)2 나노시트의 (100) 결정방향을 나 타낸다.

https://cdn.apub.kr/journalsite/sites/mrsk/2022-032-03/N0340320306/images/MRSK-32-3-153_F8.jpg
Fig. 8

(a) Low-magnification STEM image of triangular ZnO/Zn(OH)2 nanosheets transferred on STEM grid. (b) High-magnification STEM image of triangular ZnO/Zn(OH)2 nanosheet transferred on STEM grid. (c) High-resolution STEM image of ZnO/Zn(OH)2 nanosheets transferred on a STEM grid with its corresponding digital diffractogram.

4. 결 론

본 연구에서는 ILE 합성법을 이용하여 온도별로 합성 된 ZnO/Zn(OH)2 나노시트의 형상 및 두께를 분석하였 다. Convection oven의 온도는 60°C, 70 °C, 80 °C로 조절되었고, ZnO/Zn(OH)2의 형상의 변화를 SEM으로 관 찰한 결과, 70 °C에서 정삼각형 형상을 띈다는 것을 확 인하였다. AFM 분석을 활용하여 각 온도별로 합성된 나 노시트의 두께를 확인한 결과, 70 °C에서 4.4 nm로 가 장 두껍게 합성되는 것을 확인하였다. XPS 분석을 통 해 합성된 나노시트와 추가적인 후 처리가 적용된 나 노시트의 화학적 결합상태를 확인하였다. XRD 분석에 서는 합성온도가 높을 수록 나노시트에 더 많은 Zn(OH)2가 존재한다는 것을 의미한다. 또 다양한 후 처 리 공정들 실시하여 XPS와 XRD 분석을 실시 하였고, 두 분석 결과를 종합한 결과 U V O를 1시간 처리를 한 공정이 다른 후 처리 공정들 보다 Zn-O peak과 Zn 2p peak의 intensity 증가 폭이 크고, ZnO peak의 intensity 가 상당히 증가하여, 가장 이상적인 결과임을 확인하였 다. 마지막으로 STEM에서는 70 °C에서 합성한 나노시트 들이 균일한 삼각형을 형성하고 단결정을 가지는 것을 확인하였다.

Acknowledgement

This work was supported by the National Research Foundation of Korea (NRF) grant funded by the Korea government (MSIT) (No. 2020R1G1A1099542). This research was supported by Nano·Material Technology Development Program through the National Research Foundation of Korea(NRF) funded by the Ministry of Science, ICT and Future Planning (2009-0082580). This results was supported by “Regional Innovation Strategy (RIS)” through the National Research Foundation of Korea (NRF) funded by the Ministry of Education (MOE) (2021RIS-003).

<저자소개>

정규현

경상국립대학교 나노신소재공학부 세라믹공학전공 석사과정 2학년 학생

남동현

경상국립대학교 나노신소재공학부 세라믹공학전공 학사과정 4학년 학생

류경희

경상국립대학교 나노신소재공학부 세라믹공학전공 조교수 전임

References

1.
S. Manzeli, D. Ovchinnikov, D. Pasquier, O. V. Yazyev and A. Kis, Nat. Rev. Mater., 2, 17033 (2017). 10.1038/natrevmats.2017.33
2.
T. Hu, X. Mei, Y. Wang, X. Weng, R. Liang and M. Wei, Sci. Bull., 64, 1707 (2019). 10.1016/j.scib.2019.09.021
3.
X. Yin, Y. Shi, Y. Wei, Y. Joo, P. Gopalan, I. Szlufarska and X. Wang, Langmuir, 33, 7708 (2017). 10.1021/acs.langmuir.7b0167428715637
4.
F. Wang, X. Yin and X. Wang, Extreme Mech. Lett., 7, 64 (2016). 10.1016/j.eml.2016.01.003
5.
V. W. Brar, A. R. Koltonow and J. Huang, ACS Photonics, 4, 407 (2017). 10.1021/acsphotonics.7b00194
6.
P. J. P. Espitia, N. D. F. F. Soares, J. S. D. R. Coimbra, N. J. D. Andrade, R. S. Cruz and E. A. A. Medeiros, Food Bioprocess Technol., 5, 1447 (2012). 10.1007/s11947-012-0797-6
7.
R. F. Service, Science, 276, 895 (1997). 10.1126/science.276.5314.895
8.
H. Zhang, D. Yang, X. Ma, Y. Ji, J. Xu and D. Que, Nanotechnology, 15, 622 (2004). 10.1088/0957-4484/15/5/037
9.
K. Keis, E. Magnusson, S.-E. Lindquist, A. Hagfeldt and H. Lindstrom, Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 73, 51 (2002). 10.1016/S0927-0248(01)00110-6
10.
V. C. Sousa, A. M. Segadães, M. R. Morelli and R. H. G. A. Kiminami, Int. J. Inorg. Mater., 1, 235 (1999). 10.1016/S1466-6049(99)00036-7
11.
D. S. King and R. M. Nix, J. Catal., 160, 76 (1996). 10.1006/jcat.1996.0125
12.
W. J. E. Beek, M. M. Wienk and R. A. J. Janssen, Adv. Mater., 16, 1009 (2004). 10.1002/adma.200306659
13.
W. J. E. Beek, M. M. Wienk and R. A. J. Janssen, J. Mater. Chem., 15, 2985 (2005). 10.1039/b501979f
14.
A. Qurashi, N. Tabet, M. Faiz and T. Yamzaki, Nanoscale Res. Lett., 4, 948 (2009). 10.1007/s11671-009-9317-720596440PMC2893893
15.
X. J. Zheng, X. C. Cao, J. Sun, B. Yuan, Q. H. Li, Z. Zhu and Y. Zhang, Nanotechnology, 22, 435501 (2011). 10.1088/0957-4484/22/43/43550121971305
16.
S.-M. Li, L.-X. Zhang, M.-Y. Zhu, G.-J. Ji, L.-X. Zhao and J. Y. L.-J. Bie, Sensors Actuators B, 249, 611 (2017). 10.1016/j.snb.2017.04.007
17.
D. X. Ju, H. Y. Xu, J. Zhang, J. Guo and B. Cao, Sensors Actuators B, 201, 444 (2014). 10.1016/j.snb.2014.04.072
18.
G. Ficociello, E. Zanni, S. Cialfi, C. Aurizi, G. Biolcati, C. Palleschi, C. Talora and D. Uccelletti, Biochim. Biophys. Acta, 1863, 2650 (2016). 10.1016/j.bbamcr.2016.08.00227523793
19.
E. Zanni, C. Laudenzi, E. Schifano, C. Palleschi, G. Perozzi, D. Uccelletti and C. Devirgiliis, Hindawi Publishing Corporation Biomed. Res. Int., 2015, 12 (2015). 10.1155/2015/62170925961031PMC4417589
20.
M. Salavati-Niasari, F. Davar and A. Khansar, J. Alloys Compd., 509, 61 (2011). 10.1016/j.jallcom.2010.08.060
21.
E. Zanni, C. R. Chandraiahgari, G. D. Bellis, M. R. Montereali, G. Armiento, P. Ballirano, A. Polimeni, M. S. Sarto and D. Uccelletti, Nanomaterials, 6, 179 (2016). 10.3390/nano610017928335307PMC5245199
22.
K. Malachová, P. Prausb, Z. Rybková and O. Kozák, Appl. Clay Sci., 53, 642 (2011). 10.1016/j.clay.2011.05.016
23.
A. Sirelkhatim, S. Mahmud, A. Seeni, N. H. M. Kaus, L. C. Ann, S. K. M. Bakhori, H. Hasan and D. Mohamad, Nano Micro Lett., 7, 219 (2015). 10.1007/s40820-015-0040-x30464967PMC6223899
24.
S.-Y. Pung, K.-L. Choy and X. Hou, J. Cryst. Growth, 312, 2049 (2010). 10.1016/j.jcrysgro.2010.03.035
25.
D. Ehrentraut, H. Sato, Y. Kagamitani, H. Sato, A. Yoshikawa and T. Fukuda, Prog. Cryst. Growth Charact. Mater., 52, 280 (2006). 10.1016/j.pcrysgrow.2006.09.002
26.
T. Ivanova, A. Harizanova, T. Koutzarova and B. Vertruyen, Mater. Lett., 64, 1147 (2010). 10.1016/j.matlet.2010.02.033
27.
C. C. Chen, P. Liu and C. H. Lu, Chem. Eng. J., 144, 509 (2008). 10.1016/j.cej.2008.07.047
28.
X. Li, G. He, G. Xiao, H. Liu and M. Wang, J. Colloid Interface Sci., 333, 465 (2009). 10.1016/j.jcis.2009.02.02919286190
29.
S. Baruah and J. Dutta, Sci. Technol. Adv. Mater., 10, 013001 (2009). 10.1088/1468-6996/10/1/01300127877250PMC5109597
30.
A. K. Zak, W. H. A. Majid, H. Z. Wang, R. Yousefi, A. M. Golsheikh and Z. F. Ren, Ultrason. Sonochem., 20, 395 (2013). 10.1016/j.ultsonch.2012.07.00122884111
31.
R. Al-Gaashani, S. Radiman, A. R. Daud, N. Tabet and Y. Al-Douri, Ceram. Int., 39, 2283 (2013). 10.1016/j.ceramint.2012.08.075
32.
X. Yin, Y. Shi, Y. Wei, Y. Joo, P. Gopalan, I. Szlufarska and X. Wang, Langmuir, 33, 7708 (2017). 10.1021/acs.langmuir.7b0167428715637
33.
X. Yin, Q. Chen, P. Tian, P. Zhang, Z. Zhang, P. M. Voyles and X. Wang, Chem. Mater., 30, 3308 (2018). 10.1021/acs.chemmater.8b00575
34.
Y. Wang, Y. Shi, Z. Zhang, C. Carlos, C. Zhang, K. Bhawnani, J. Li, J. Wang, P. M. Voyles, I. Szlufarska and X. Wang, Chem. Mater., 31, 9040 (2019). 10.1021/acs.chemmater.9b03307
페이지 상단으로 이동하기