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ISSN : 1225-0562(Print)
ISSN : 2287-7258(Online)
Korean Journal of Materials Research Vol.29 No.7 pp.437-442
DOI : https://doi.org/10.3740/MRSK.2019.29.7.437

Optical and Structural Analysis of BaSi2O2N2:Eu Green Phosphor for High-Color-Rendering Lighting

Sunghoon Lee1, Taewook Kang2, Hyeonwoo Kang1, Yongseok Jeong1, Jongsu Kim1,2, Hoon Heo1
1Department of Display Science and Engineering, Pukyong National University, Busan 48513, Republic of Korea
2Interdisciplinary Program of LED and Solid State Lighting Engineering, Pukyong National University, Busan 48513, Republic of Korea
Corresponding author E-Mail : heohoon@pknu.ac.kr (H. Heo, Pukyong Nat’l Univ.)
May 16, 2019 June 20, 2019 June 28, 2019

Abstract


Green BaSi2O2N2:0.02Eu2+ phosphor is synthesized through a two-step solid state reaction method. The first firing is for crystallization, and the second firing is for reduction of Eu3+ into Eu2+ and growth of crystal grains. By thermal analysis, the three-time endothermic reaction is confirmed: pyrolysis reaction of BaCO3 at 900 ºC and phase transitions at 1,300 ºC and 1,400 ºC. By structural analysis, it is confirmed that single phase [BaSi2O2N2] is obtained with Cmcm space group of orthorhombic structure. After the first firing the morphology is rod-like type and, after the second firing, the morphology becomes round. Our phosphor shows a green emission with a peak position of 495 nm and a peak width of 32 nm due to the 4f65d1→4f7 transition of Eu2+ ion. An LED package (chip size 5.6 x 3.0 mm) is fabricated with a mixture of our green BaSi2O2N2, and yellow Y3Al5O12 and red Sr2Si5N8 phosphors. The color rendering index (90) is higher than that of the mixture without our green phosphor (82), which indicates that this is an excellent green candidate for white LEDs with a deluxe color rendering index.



고연색 백색 광원용 BaSi2O2N2:Eu 형광체의 광학·구조 특성 분석

이 성훈1, 강 태욱2, 강 현우1, 정 용석1, 김 종수1,2, 허 훈1
1부경대학교 융합디스플레이공학과
2부경대학교 LED 공학협동과정

초록


    Pukyong National University

    © Materials Research Society of Korea. All rights reserved.

    This is an Open-Access article distributed under the terms of the Creative Commons Attribution Non-Commercial License (http://creativecommons.org/licenses/by-nc/3.0) which permits unrestricted non-commercial use, distribution, and reproduction in any medium, provided the original work is properly cited.

    1. 서 론

    백색 LED의 가장 대표적인 구성은 형광체 변환에 기 초한 LED형태로써, 일반적으로 분말 형태의 형광체는 수 지와의 혼합에 의한 페이스트 상으로 LED칩 위에 도포 된다.1-3) 백색 LED는 현재 청색 LED 칩 위에 황록색 형광체를 도포하여 소자를 제조함으로써 백색을 구현하 는데, 이 방법은 1997년 일본의 니치아사가 GaN 박막 으로 제조된 청색 LED 소자에 Y3Al5O12:Ce3+(YAG:Ce) 를 결합하여 개발하였다.4-5) 청색 LED는 조명과 디스플 레이를 중심으로 큰 시장 규모를 차지하고 있으며, 연 구에서 생산, 제품화까지 완성도를 높여가며 산업적 연 구적으로 성장해왔다. 그러나 이러한 백색 LED의 특성 은 청색과 황색의 파장간격이 넓어 고연색성(Ra 80 이 상)을 구현하기 어렵다.6) 이를 해결하기 위해 고연색성 을 구현할 수 있는 녹색이나 적색 형광체의 개발에 초 점이 맞추어지고 있다. 현재 LED용 형광체는 실리케이 트계 형광체(Sr2SiO4:Eu2+, Ba2SiO4:Eu2+), 알루미네이트계 형광체(YAG:Ce3+, LuAG:Ce3+), 산질화물계 형광체(β- SiAlON:Eu2+), 질화물 등의 무기물계 형광체(La3Si6N11:Ce3+, Sr2Si5N8:Eu2+, (Ca,Sr)AlSiN3:Eu2+)가 상용화 되어 있다.7-8)

    고연색성 광은 태양광과 유사한 백색 구현을 위해 다 양한 녹색과 적색 형광체 조합을 통하여 많은 시도가 되 었지만 그 한계가 있다. LED칩에서 발광하는 청색과 녹 색 사이에 스펙트럼이 약하여 특수 연색 지수 R12(strong blue) 값이 낮음으로 연색 지수는 저하된다. 이를 보완 하기 위해 청색의 흡수와 짧은 스토크스 이동(Stoke’s shift) 특성으로 청록색에서 발광하는 BaSi2O2N2:Eu2+ 형 광체가 대안으로 제시되었고 연구가 진행되고 있다.9-11) BaSi2O2N2:Eu2+ 형광체는 495 nm에서 발광하며, UV에서 가시광 영역에 이르는 넓은 흡수 밴드를 가지는 것이 특 징이다.12) 하지만 산질화물 합성을 위해서는 고온-고압 분 위기에서의 합성이 필요하기 때문에 합성 조건이 까다 로우며, 질화물의 원료와 메탈 분말을 이용하여 합성하 기 때문에 혼합 시 주변 환경에 민감한 어려움이 있다.13)

    본 논문에서 연구된 BaSi2O2N2:0.02Eu2+는 1차와 2차 로 구분된 공정으로 다른 질화물 반응법과는 달리 고압 의 조건이 요구되지 않는다. 기존의 BaSi2O2N2:Eu2+ 형 광체는 고상법을 이용한 고압의 gas pressure sintering공 정 혹은 환원공정을 통해 제작하지만 본 연구에서는 상 압의 질소분위기에서 반응을 일으킨 후 환원을 시키는 단계별 공정으로 1차 열처리와 2차 열처리를 통하여 더 강한 환원반응을 발생시켜 PL향상을 도모하였다. 이러한 과정에서의 상변이 상관관계를 규명하고 합성 온도에 따 른 발광 효율을 분석하였으며, 연색성을 확인하기 위해 황색 그리고 적색 형광체를 혼합하여 LED 패키지를 제 작하여 비교 분석하였다.

    2. 실험 방법

    BaSi2O2N2:Eu2+를 고상반응법(solid state reaction)으로 합성하기 위해 BaCO3(high purity chemical, 99.9 %), SiO2(high purity chemical, 99.9 %), α-Si3N4(Ube, SN E-10, 99.99 %), 그리고 Eu2O3(shinetsu, 99.99 %)를 당 량비에 맞게 전자저울(OHAUS, AR2140)을 10−4 order까 지 정확하게 측량하고, 건식 혼합을 실시한다. 혼합된 전 구체를 1차적으로 1,200, 1,300, 1,450, 1,475 그리고 1,500 ºC에서 N2 분위기를 조성하여 10시간 동안 열처 리를 한다. 이때, 혼합 원료 중 BaCO3의 CO2를 제거하 기 위해 900 ºC에서 1시간동안 진공상태를 유지한 뒤 N2 를 흘려 보내 질소분위기로 조성하고 승온을 한다. 상 기 방법으로 1차 열처리가 끝난 전구체를 2차적으로 1,450 ºC에서 환원분위기 H2/N2(4%: 96%)로 6시간 동안 유지 하여 전구체의 환원시키는 공정을 진행하여 합성한다. 1차 열처리를 통하여 BaSi2O2N2의 결정을 형성한 BaSi2O2N2 내에 도펀트인 Eu 이온을 3가에서 2가로 환원을 위해 2차 열처리를 하였다.

    합성된 청록색 형광체(BaSi2O2N2:Eu2+, Em = 495 nm), 황색(Y3Al5O12:Ce3+, Em = 550 nm) 그리고 적색(Sr2Si5N8: Eu2+, Em = 620 nm) 형광체를 혼합하여 5630 패키지 (Forepi model: Fl200KDZ-BL, chip size 5.6 × 3.0 × 0.9t mm, Wd 451 nm, 100 ea Set, Dow corning OE6630)를 진행하였다.

    본 연구에서 각각 온도에 따른 형광체의 중량 감소와 분 해·합성 및 상전이에 대한 분석을 위해 TG-DSC(thermal gravimetric-differential scanning calorimeter, PERKINELMER U.S.A, DTA 7) 분석을 하였다. 각각의 온도에 따라 형광체의 결정을 확인하기 위해 X-ray diffractometer (Rigaku, D/MAX-33)의 Cu Kα선, 40 kV, 40 mA에서 2θ = 10° - 80°의 범위, 0.02° 스텝으로 X-ray diffraction (XRD)를 측정하였다. 온도에 따른 형광체의 광학적 특 성을 분석하기 위하여 35 W Xenon lamp sources, 1 nm spectral resolution 조건에서 fluorescence spectrophotometer (PSI, DARSA PRO 5200)로 photoluminescence(PL)를 측정하고, 입자의 형태를 확인하기 위해 scanning electron microscope(SEM, TESCAN, VEGA2LSU)를 이용하였다. 합성된 BaSi2O2N2:Eu2+와 Y3Al5O12:Ce3+ 그리고 Sr2Si5N8: Eu2+를 혼합하여 5630 패키지(Forepi model: Fl200KDZBL, chip size 5.6 × 3.0 × 0.9t mm, Wd 451 nm, 100 ea Set, Dow corning OE6630)를 제작하여 60 mA에서 구 동하여 광분석을 하였다.

    3. 결과 및 고찰

    형광체 상변이 온도를 조사하기 위해 TG-DSC를 측정 하였다. 혼합된 전구체에 대하여 일정 고온에 이르기까 지 가열하면서 시료내부에서 일어나는 결정구조의 변화, 상의 변화, 성분간의 반응 여부 등을 관찰하였다. Fig. 1에서 확인된 것과 같이 온도가 증가할 때 weight percent 가 급격히 줄어드는 (a)에서 BaCO3 가 BaO와 CO2로 열분해가 일어난다.14) 따라서 합성공정 중에 900 ºC에서 1시간동안 진공상태를 유지하는 이유는 열분해를 도와 더 수월한 합성이 진행되도록 하기 위해서이다. 또한 (b), (c) 흡열반응 피크가 확인되었는데, 이는 질화 또는 분해 합 성이 일어나는 지점이며 상변이가 일어나는 것은 XRD 패턴에서 확인된다.

    Fig. 21차 열처리 온도에 따라 BaSi2O2N2의 상변 화에 대한 XRD 패턴이다. 1,200 ºC에서 Ba2SiO4상이 확 인되었으며, 원료인 Si3N4상이 존재하는 것으로 확인되었 다. 1,300 ºC부터 Ba2SiO4가 서서히 질화 반응이 일어나 서 BaSi2O2N2상이 형성되기 시작하고, 이는 Fig. 1(c)에 서 흡열 반응이 일어나는 온도와 유사하다. 온도가 증 가함에 따라 질화의 정도는 증가하며, 1,500 ºC에서 대 부분의 Ba2SiO4 상이 질화되어 BaSi2O2N2 단일상이 형 성된다. Ba2SiO4의 질화 반응으로 인하여 weight percent 가 증가한다. 결론적으로 온도가 증가함에 따라 Si3N4 상 이 줄어들고, BaSi2O2N2 상으로 상변이가 되어 결정을 이룬다. Table 1에서는 각 온도에 따른 형성된 상 분석 표를 나타낸다. 이는 TG-DSC에서 확인된 바와 같이 각 흡열 피크가 분석된 온도에 따라 상변이가 일어나는 것 이 확인되었다.15-16) 형성된 BaSi2O2N2는 Space Group으 로 Cmcm을 가지는 Orthorhombic 구조이고, 기존 보고 된 논문(Y. Q. Li et al.)과 XRD peak가 일치한다.17)

    각 합성 온도에 따른 BaSi2O2N2:0.02Eu2+ 형광체의 광 특성을 알아보기 위해 PL을 측정하여 이를 Fig. 3에 나 타내었다. Eu2+ 이온의 4f65d1→4f7 천이를 통하여 짧은 스토크스 이동(Stoke’s shift)을 특징으로 하여 495 nm의 주 발광 특성을 확인할 수 있다. BaSi2O2N2의 생성으로 1차 열처리 온도가 증가함에 따라 발광의 세기는 증가 한다. XRD 패턴에서도 확인 되었듯이, 1,200 ºC 일때 BaSi2O2N2 상이 형성되지 않았으며, 1,300-1,400 ºC부터 BaSi2O2N2 상이 형성되어 결정이 이루어진다. 합성 온도 가 증가함에 따라 상변이가 잘 일어나고, 따라서 발광 세기에 영향을 미친다. 또한, Fig. 3(c)에서 확인된 것과 같이 2차 열처리를 환원분위기에서 진행됨에 따라 1차 열처리에서 도핑된 Eu이온의 환원으로 전체적으로 발광 세기가 높아진 것을 확인할 수 있다. 그리고 1,500 ºC에 서 1차 열처리를 진행하고 2차 열처리까지 진행되어 합 성된 BaSi2O2N2:Eu2+ 형광체의 PLE를 각각 Fig. 3에 삽 입된 그래프에서 확인할 수 있다. BaSi2O2N2:Eu2+ 형광 체의 흡수 스펙트럼은 넓은 여기 스펙트럼은 자외선 영 역(250-340 nm)에서 청색 영역(350-480 nm)까지 넓은 흡 수를 나타낸다. 이러한 넓은 스펙트럼은 Eu2+ 이온의 4f65d1 배열에서의 5d 준위의 결정장 분리에 기인한다. 각 1차와 2차 열처리 후 형광체는 XRD 패턴에서도 볼 수 있듯이 불순물 및 결정성이 차이가 있음으로 흡수 스 펙트럼의 차이가 확인된다. 따라서 형광체의 결정성으로 인하여 2차 열처리 시 청색 영역의 흡수가 우수하며, 청 색 LED를 여기광으로 사용하기에 적합하다.

    가장 발광세기가 높은 2차 열처리 1,500 ºC에서 합성 된 형광체의 입자 형상을 확인하기 위해 Fig. 4에 SEM 이미지를 나타내었다. 1차 열처리를 통한 형광체 분말은 막대 형태로 결정이 이뤄져 있으며, 2차 열처리를 진행 후에 입자 형상은 막대 형태에서 거친 모양이지만 둥근 모양으로 변화한 것으로 확인되었다. 2차 열처리는 1,450 ºC의 고온에서 장시간 이루어지므로 열역학적으로 안정 한 구형으로 변하고자 한다. 이렇게 표면 형상이 상대 적으로 둥글게 변하여 입자들의 표면에서 산란에 의한 빛의 손실이 작아져 효율적인 발광이 일어나고 발광세 기가 강해진다.

    본 연구에서 합성된 형광체 청록색(BaSi2O2N2:Eu2+, Em = 495 nm), 황색(Y3Al5O12:Ce3+, Em = 550 nm) 그리고 적 색(Sr2Si5N8:Eu2+, Em = 620 nm)의 삼원색을 활용하여 높 은 연색 지수의 백색 LED를 제작하였다. Fig. 5는 각각 의 형광체의 광특성을 측정한 PL 스펙트럼들이다. Table 2는 청색 LED에 발광하는 형광체를 알맞은 함량비에 맞 춰서 LED 패키지하여 특성을 확인한 결과이다. 확인된 것과 같이 청색 LED 발광과 황색 형광체 발광 사이에 청록색 형광체를 같이 혼합함으로써 특수 연색 지수 R12 의 세기는 높아졌고, 그 결과 백색 LED는 연색 지수가 80 Ra로 높아짐을 알 수 있다. 하지만 더 높은 연색 지 수를 구현하기 위해서는 부족한 적색 영역을 형광체로 보강해주어야 한다. Fig. 6는 청색 LED를 기반으로 제 작된 백색 LED들의 스펙트럼들을 나타내었다. 이는 황 색 형광체, 적색 형광체, 청록색 형광체를 이용하여 각 각의 형광체 조합에 대한 발광스펙트럼들이다. 기존에 황 색과 적색의 형광체만으로 구성된 백색 LED에서는 연 색 지수가 82 Ra의 값을 가지지만, BaSi2O2N2:Eu2+ 형광 체를 추가하여 혼합한 결과 백색 구현시 연색 지수는 더 향상되어 90 Ra로 측정되었다.

    4. 결 론

    본 연구에서는 고연색성 백색 LED를 구현하기 위해 Blue LED의 발광 영역과 형광체의 황색 그리고 적색 발 광 영역 사이의 부족한 색영역을 보상할 수 있는 청록 색 형광체 BaSi2O2N2:0.02Eu2+를 고상 반응법을 이용하 여 합성하였다. TG-DSC 곡선에서 확인된 흡열 반응의 온도와 각 온도의 결정상을 XRD에서 확인한 결과 각 흡열 반응 지점에서 상변이가 일어남을 알 수 있었다. 1,200 ºC에서 Ba2SiO4와 Si3N4상이 존재하며 1,300 ºC에 서 BaSi2O2N2의 결정상이 형성되기 시작한다. 1차 열처 리를 통하여 합성된 형광체는 막대 모양의 입자 형태이 며, 2차 열처리를 통해 형광체는 구형으로 변한다. 1차 열처리 후 BaSi2O2N2는 결정상이 형성되는 1,300 ºC부터 BaSi2O2N2의 짧은 스토크스 이동(Stoke’s shift)으로 Eu 의 4f65d1→4f7 천이를 통하여 495 nm에서 효율적인 발 광한다. 고연색 White LED를 구현하기 위해 3종의 형 광체(청록색 BaSi2O2N2:Eu / Em = 495 nm, 황색 YAG:Ce / Em = 550 nm, 적색 Sr2Si5N8:Eu / Em = 620 nm)를 활용 하여 White LED 패키지를 제작하였다. 그 결과 연색 지 수 CRI 90 Ra 값을 갖는 고연색성 White LED를 구현 하였다.

    Acknowledgement

    This work was supported by a Research Grant of Pukyong National University (2017 year).

    Figure

    MRSK-29-7-437_F1.gif

    TG-DSC curve of solid reaction in sintering process. (a) BaCO3 pyrolysis, (b) Formation of Ba2SiO4 Phase, (c) Nitridation of Ba2SiO4 phase.

    MRSK-29-7-437_F2.gif

    XRD patterns of phosphor samples with synthesis temperatures.

    MRSK-29-7-437_F3.gif

    PL spectra of (a) 1st synthesis and (b) 2nd synthesis with synthesis temperatures. The inset is PLE spectrum of synthesized BaSi2O2N2:Eu phosphor at 1,500 ºC. (c) The comparison with 1st synthesis and 2nd synthesis PL intensities.

    MRSK-29-7-437_F4.gif

    SEM images of BaSi 2O2N2:Eu2+ phosphor with (a) 1st synthesis and (b) 2nd synthesis at 1,500 ºC.

    MRSK-29-7-437_F5.gif

    PL spectra of different color phosphors.

    MRSK-29-7-437_F6.gif

    Emission spectra of white LEDs using combination the mixture of blue-green BaSi2O2N2:Eu2+ phosphor, yellow Y3Al5O12:Ce3+ phosphor and Sr2Si5N8:Eu2+ phosphor with a 450 nm Blue LED. The inset is color coordinate of three phosphors combination (G+Y+R).

    Table

    Phase transition of BaSi2O2N2 with synthesis temperatures.

    The color coordinates and the color rendering index for mixed color phosphors.

    Reference

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